| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Электронный каталог - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :3
 В других БД по вашему запросу найдено:ЭБС "АЙБУКС" (1)Публикации учёных СГУ (1)Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) (6)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=дефекты кристаллов<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
A873478-ОХФ
   Красников, Г. Я.

    Физико-технологические основы обеспечения качества СБИС [Текст] : в 2 ч. / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев. - Москва : Микрон-Принт, 1999.
   Ч. 1. - Москва : Микрон-Принт, 1999. - 226 с. : ил. - Библиогр. - ISBN 5-93497-001-1 (в пер.) : 30.00 р.
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
сверхбольшие интегральные схемы (СБИС) -- кремниевые микросхемы -- дефекты кристаллов -- технологические процессы (ТП) -- кремний -- контроль технологический -- кремния диоксид


Доп. точки доступа:
Зайцев, Н. А.
Экземпляры всего: 1
ОХФ (1)
Найти похожие

2.
7789/Р-ОХФ
    Задорожный, Филипп Михайлович.
    Рассеяние электромагнитной волны краевыми дислокациями в щелочногалоидных кристаллах [Рукопись] : дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Ф. М. Задорожный ; . - Саратов : [б. и.], 1999. - 154, [1] с. + 1 Автореф. - Библиогр. - ISBN [Б. и.] (в пер.) : [б. ц.]
УДК

Рубрики: химия--кристаллография

Кл.слова (ненормированные):
дислокации -- краевые дислокации -- дефекты кристаллов -- щелочногалоидные кристаллы -- рассеяние электромагнитных волн
Экземпляры всего: 1
ОХФ (1)
Найти похожие

3.
Учебные отделы, A988682-ОХФ, A988683-ОХФ, A988684-ОХФ,
    Вениг, Сергей Борисович.
    Материаловедение. Основы кристаллографии и минералогии [Текст] : учебное пособие для студентов факультета нано- и биомед. технологий / С. Б. Вениг, О. П. Гончаренко, И. В. Маляр ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : Издательство Саратовского университета, 2012. - 186, [2] с. : ил. - (Материаловедение и технология новых материалов / гл. ред. С. Б. Вениг). - Библиогр.: с. 185-187. - ISBN 978-5-292-04098-9 (в пер.) : 106.65 р., 106.64 р., 293.00 р.
УДК

Рубрики: химия--минералогия--кристаллография

Кл.слова (ненормированные):
кристаллография -- кристаллы -- структура -- дефекты кристаллов -- рост кристаллов -- минералогия -- минералы -- минералообразование -- систематика минералов
Аннотация: Пособие содержит основные понятия кристаллографии и минералогии, на базе которых строится курс "Основы кристаллографии и минералогии", предваряющий изучение дисциплины "Материаловедение"


Доп. точки доступа:
Гончаренко, Ольга Павловна
Маляр, Иван Владиславович
Экземпляры всего: 55
ОУОЕН (52), ОХФ (3)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)