| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Электронный каталог - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :3
 В других БД по вашему запросу найдено:Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) (3)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=нитрид галлия<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.
Учебные отделы, A877552-ОХФ, A877553-ОХФ-ЧЗ-4, A877554-ОХФ-ЧЗ-4,
   
    Широкозонные полупроводники [Текст] : учеб. пособие для студентов вузов по направлению "Техническая физика" / Ю. Г. Шретер [и др.] ; . - Санкт-Петербург : Наука, 2001. - 123, [5] с. : ил., табл. - (Новые разделы физики полупроводников). - Библиогр. - ISBN 5-02-024959-9 (в пер.) : 35.00 р.
Федер. целевая прогр."Гос. поддержка интеграции высш. образования и фундам. науки"
УДК
621.382(075.8)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
широкозонные полупроводники -- полупроводниковые материалы -- пленочные технологии -- нитрид галлия -- алюминий -- индий -- светодиоды -- лазеры -- СВЧ-приборы -- акустоэлектронные приборы


Доп. точки доступа:
Шретер, Ю. Г.
Ребане, Ю. Т.
Зыков, В. А.
Сидоров, В. Г.

Экземпляры всего: 12
ОХФ (1), ОХФ-ЧЗ-4 (2), ОУОЕН (9)
Найти похожие
2.
9925/Р-ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд)
    Сергеев, Сергей Алексеевич.
    Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Рукопись] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177 л. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 829874
УДК
621.382(043.3)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Приложение:Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев


Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Экземпляры всего: 1
ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд) (1)
Найти похожие
3.
A606628-ОХФ
    Сергеев, Сергей Алексеевич.
    Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177. - ISBN [Б. и.]. Шифр 778942
УДК
621.382(043.3)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Является приложением к Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов\par


Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Экземпляры всего: 1
ОХФ (1)
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)