| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Электронный каталог - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :4
 В других БД по вашему запросу найдено:Публикации учёных СГУ (1)Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) (11)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=арсенид галлия<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
9925/Р-ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд)
    Сергеев, Сергей Алексеевич.
    Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Рукопись] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177 л. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 829874
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Приложение:Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев


Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Экземпляры всего: 1
ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд) (1)
Найти похожие

2.
A606628-ОХФ
    Сергеев, Сергей Алексеевич.
    Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177. - ISBN [Б. и.]. Шифр 778942
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Является приложением к Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов\par


Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Экземпляры всего: 1
ОХФ (1)
Найти похожие

3.
10653/Р-ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд)
    Сатаева, Сапура Саниевна.
    Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды [Рукопись] : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 : защищена 16.02.2012 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта ; Зап.-Казахст. аграр.-техн. ун-т им. Жангир хана. - Саратов : [б. и.], 2012. - 148, [2] л. : рис., табл. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 130-148 (140 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта. - Саратов : [Б. и.], 2012. - 22, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 186039
УДК

Рубрики: химия--физическая химия--аналитическая химия

Кл.слова (ненормированные):
химические сенсоры -- модифицированные электроды -- полупроводниковые материалы -- арсенид галлия -- потенциометрический анализ -- загрязнение окружающей среды. - Приложение:Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта


Доп. точки доступа:
Бурахта, Вера Алексеевна
Экземпляры всего: 1
ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд) (1)
Найти похожие

4.
A607140-ОХФ
    Сатаева, Сапура Саниевна.
    Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта ; Зап.-Казахст. аграр.-техн. ун-т им. Жангир хана. - Саратов : [Б. и.], 2012. - 22, [1] с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 22-23 (10 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 : защищена 16.02.2012 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта. - Саратов : [б. и.], 2012. - 148, [2]. - ISBN [Б. и.]. Шифр 395902
УДК

Рубрики: химия--физическая химия--аналитическая химия

Кл.слова (ненормированные):
химические сенсоры -- модифицированные электроды -- полупроводниковые материалы -- арсенид галлия -- потенциометрический анализ -- загрязнение окружающей среды. - Является приложением к Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 : защищена 16.02.2012 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта\par


Доп. точки доступа:
Бурахта, Вера Алексеевна
Экземпляры всего: 1
ОХФ (1)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)