| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :3
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=электронно-лучевая литография<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

    Таруи, Я.
    Основы технологии сверхбольших интегральных схем [Текст] / Я. Таруи ; пер. с япон. В. А. Лазарева ; под ред. В. Г. Ржанова. - М. : Радио и связь, 1985. - 480 с. : ил. ; 22см. - 2.70 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.844.1

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
сверхминиатюризация -- интегральные схемы -- полупроводниковые интегральные схемы -- электронно-лучевая литография -- электроны -- электроннооптические системы -- методы совмещения -- эффект близости -- искажения изображения -- компенсация изгибов пластины -- сканирование излучения -- перенос рисунков -- контроль шаблонов -- дефекты шаблонов -- электронорезисторы -- СБИС -- геттерирование -- сухое травление -- плазменное травление -- технология лазерного отжига
Аннотация: Рассмотрены методы электронно-лучевой,фото-и рентгеновской литографии,применяемые при изготовлении сверхбольших интегральных схем.Дана классификация различных типов дефектов,методов их диагностики и путей совершенствования используемых материалов.Обсуждаются принципы работы технологического и контрольно-измерительного оборудования,а также способы повышения качества шаблонов и структур СБИС.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Лазарев, В. А.
Ржанов, В. Г.
Найти похожие

2.

    Красников, Г. Я.
    Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов [Текст] : научное издание / Г. Я. Красников. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 800 с. : ил. ; 25 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-289-2 : 90.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- СУБМИКРОННЫЕ МОПТ -- ПОДЗАТВОРНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ -- ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ -- РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИЯ -- ПОЛИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ЗАТВОРЫ -- ПОЛИЦИДНЫЕ ЗАТВОРЫ -- СТОК-ИСТОВЫЕ ОБЛАСТИ -- КОРОТКОКАНАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
Аннотация: В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов. Описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истовых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

3.

   
    Практикум по волновой электронике и микроэлектронике [Текст] : физика и технология современной микроэлектроники. . Ч. 2 / З. А. Буянова [et al.] ; ред.: Ю. В. Гуляев, Н. И. Синицын ; Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : Издательство Саратовского национального государственного университета имени Н. Г. Чернышевского, 2000. - 80 с. : ил. - ISBN 5-292-02528-3 : 6.00 р.
ББК 32.85я73

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ -- барьер мотта -- вакуум -- дискретная микроэлектроника -- квантование -- микроэлектроника -- моделирование приборов -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- наноструктуры -- наноэлектроника -- плазма -- плазменное травление -- плазмо-химические технологии -- пленки -- полупроводники -- полупроводниковые лазеры -- практикумы -- термическое напыление -- термоэлектронная эмиссия -- транзисторы -- электроника -- электронно-лучевая литография -- эффект шоттки
Аннотация: Представлены работы связанные с изучением особенностей жидкофазной,молекулярно-лучевой эпитаксии,СВЧ-вакуумной и плазмохимической технологии,а также моделированием приборов СВЧ-микроэлектроники.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Буянова, З. А.
Веселов, А. Г.
Князев, С. А.
Петросян, В. И.
Синицын, Н.И.
Гуляев, Ю.В.
Синицын, Н.И.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)