A950770-ОХФ Сусляков, Юрий Васильевич. Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP [Текст] : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / Ю. В. Сусляков ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского, каф. физики твердого тела, Калмыц. гос. ун-т, каф. эксперим. и общ. физики. - Саратов : Б. и., 2004. - 17, [2] с. - Библиогр.: с. 17 (11 назв.). - ISBN Б. и. Издание является приложением к документу: Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP: Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01/ Ю. В. Сусляков. - Саратов : Б. и., 2004. - 143. - ISBN Б. и. Шифр 968183
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- полупроводники -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЭПИТАКСИЯ. - Является приложением к Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP: Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01/ Ю. В. Сусляков\par Экземпляры всего: 1 ОХФ (1) |