Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Таиров, Ю. М.
    Технология полупроводниковых и диэлектрических приборов [Текст] / Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков. - 3-е изд., стер. - СПб. : Лань, 2002. - 424 с. : ил. ; 21см. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - ISBN 5-8114-0438-7 : 170.00,129.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы--Диэлектрические материалы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводниковые материалы -- диэлектрические материалы -- материалы электронной техники -- стекла -- керамика -- монокристаллы -- керамические материалы -- стеклокерамичесие материалы
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Цветков, В. Ф.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Баранский, П. И.
    Полупроводниковая электроника. Свойства материалов [Текст] : справочник / П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. - Киев : Наукова думка, 1975. - 703 с. : ил. ; 20см. - 2.83 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- полупроводниковые соединения -- свойства полупроводниковых материалов -- электроника -- полупроводниковая технология
Аннотация: Описаны основные физические свойства и параметры элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений. Систематизированы и рассмотрены структура энергетических зон, электрические, оптические, магнитные, гальвано- и термомагнитные свойства. Для физиков, химиков, инженеров, преподавателей, студентов и аспирантов университетов и физико-технических вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Клочков, В. П.
Потыкевич, И. В.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники [Текст] : в 10 кн. : учебник / А. И. Курносов. - М. : Высшая школа, 1989 - .
   Кн. 2 : Материалы. - 1989. - 96 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5-06-000304-3 : 0.15 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- диэлектрики -- германий -- кремний -- фоторезисторы -- рентгенорезисторы -- электронорезисторы
Аннотация: В книге описаны электротехнические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, приведены сведения о материалах, применяемых при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизации p-n- переходов, а также для изготовления конструктивных элементов корпусов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Курносов, А. И.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Грищенко, А. Ф.
    Ионное легирование в микроэлектронике [Текст] : учеб. пособие для средн. проф.-техн. училищ / А. Ф. Грищенко. - М. : Высшая школа, 1985. - 48 с. : ил. ; 20см. - 0.05 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.844

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- микроэлектроника -- ионное легирование -- технологический процесс -- электрические характеристики
Аннотация: В учебном пособии изложены начальные сведения по физике ионного легирования полупроводниковых материалов. Описаны некоторые технологические процессы ионного легирования, а также основное типовое оборудование, применяемое в этих процессах. Рассмотрены вопросы безопасности при работе на установках ионного легирования. Брошюра предназначена для преподавателей и мастеров производственного обучения средних профессионально-технических училищ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Нашельский, А. Я.
    Технология полупроводниковых материалов [Текст] : учебное пособие для повышения квалификации ИТР / А. Я. Нашельский. - М. : Металлургия, 1987. - 336 с. : ил. ; 21см. - 0.65 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- материалы полупроводникового производства -- поликристаллические полупроводники -- объемные монокристаллы полупроводников -- технология подложек -- технология эпитаксиальных структур
Аннотация: Систематизированно изложены современные технологии важнейших полупроводниковых материалов,выращивание однородно легированных монокристаллов с совершенной структурой,получение высокочистых поликристалических полупроводников,эпитаксильных слоев,гомо- и гетероструктур методами газовой и жидкостной эпитаксии, изготовление пластин и подложек.Учебное пособие предназначено для повышения квалификации и переподготовки мастеров,начальников участков и цехов полупроводникового производства.Может быть полезна студентам вузов,обучающимся по специальностям:"Технология специальных материалов электронной техники","Полупроводники и диэлектрики","Полупроводниковые приборы".
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Таиров, Ю. М.
    Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов [Текст] : учеб.для вузов / Ю. М. Таиров. - 2-е изд.,перераб.и доп. - М. : Высшая школа, 1990. - 423 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5060010325 : 1.30 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы--Диэлектрические материалы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводниковые материалы -- диэлектрические материалы -- некристаллические материалы -- стеклокерамичесие материалы
Аннотация: В книге изложены особенности протекания основных процессов(тепло- и массопередачи,химических,переработки сырьевых материалов, кристаллизации и стеклования,моделирования)при получении материалов электронной техники.Описаны технологические процессы получения важнейших полупроводниковых и диэлектрических материалов(в виде монокристаллов,стекла,керамики),используемых в электронной технике.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Бочкин, О. И.
    Механическая обработка полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие / О. И. Бочкин, В. А. Брук, С. Н. Никифорова-Денисова, 3-е изд., перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1983. - 112 с. : ил. ; 21см. - (Профтехобразование. Полупроводники). - 0.15 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- полупроводниковые пластины -- полировка пластин -- калибровка
Аннотация: Описаны технологические процессы обработки полупроводниковых материалов - резка, шлифовка, скрайбирование и разламывание и приведены режимы, а также методы контроля качества и формы получаемых пластин и кристаллов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Брук, В. А.
Никифорова-Денисова, С. Н.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Миколайчук, А. Г.
    Физико-технологические основы синтеза полупроводниковых пленок [Текст] : учеб. пособие / А. Г. Миколайчук, Д. М. Френк, В. М. Шперун. - Львов : ЛГУ, 1978. - 112 с. : ил. ; 20см. - 0.20 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые пленки

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые пленки -- пленки -- эпитаксия
Аннотация: Изложены основы получения и синтеза полупроводниковых пленок халькогенидов металлов IY B подгруппы, а именно синтез пленок в "открытом" вакууме, осаждение из равновесного пара в квазизамкнутом объеме. Особое внимание уделено физико-технологическим основам техники синтеза, определяющим структурное совершенство и электрофизические параметры пленок. Для студентов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Френк, Д. М.
Шперун, В. М.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Сердюк, В. В.
    Фотоэлектрические процессы в полупроводниках [Текст] : учеб.пособие / В.В.Сердюк,Г.Г.Чемересюк,М.Терек. - Киев : Вища шк., 1982. - 151 с. : ил. ; 17см. - 0.40 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379я73

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- фотоэлектрические процессы -- полупроводники -- фотопроводимость -- рекомбинация
Аннотация: Приведена феноменологическая теория процессов возбуждения,захвата и рекомбинации неравновесных носителей тока.Уделено внимание изучению электронных процессов,связанных с наличием локальных центров,обеспечивающих захват и рекомбинацию.Для студ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Чемересюк, Г. Г.
Терек, М.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Рембеза, С. И.
    Исследование полупроводников методом электронного парамагнитного резонанса [Текст] : учеб.пособие / С. И. Рембеза. - Воронеж : ВПИ, 1982. - 97 с. : ил. ; 20см. - 0.20 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- магнитное поле -- магнитный резонанс -- твердое тело -- атом
Аннотация: Пособие посвящено применению современного неразрушающего,высокоинформативного метода электронного парамагнитного резонанса для исследования физических свойств полупроводниковых материалов.Рассмотрены общие положения теории и методики экспериментальных исследований,а также результаты практического применения ЭПР для изучения полупроводников.Для студ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Саморуков, Б. Е.
    Нестехиометрия полупроводниковых соединений [Текст] : учеб. пособие / Б. Е. Саморуков. - Л. : ЛПИ, 1984. - 82 с. : ил. ; 20см. - 0.20 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- нестехиометрия -- полупроводниковые соединения
Аннотация: Излагается важная часть курса "Физические и химические свойства полупроводников", посвященная нестехиометрии реальных полупроводниковых соединений. Рассмотрены вопросы нестехиометрии соединений, проблемы легирования их одной или двумя примесями, а также амфотерной примесью. Для студентов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Берченко, Н. Н.
    Полупроводниковые твердые растворы и их применение [Текст] : справ. таблицы / Н. Н. Берченко, В. Е. Кревс, В. Г. Средин; под ред. В. Г. Средина. - М. : Воениздат, 1982. - 208 с. : ил. ; 21 см. - 1.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- растворы -- полупроводниковые растворы -- твердые растворы
Аннотация: Систематизированы физические параметры твердых растворов соединений АIIВ, а также их соединений с халькогенидами магния, марганца и свинца, приведены методы получения кристаллов и слоев.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Берченко, Н. Н.
Кревс, В. Е.
Средин, В. Г.