Новые поступления (книга в стадии обработки) Румак, Н. В. Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. Е. Борисенко. - Минск : Навука i тэхнiка, 1990. - 191 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5-343-00540-3 : 1.40 р.
Рубрики: Электроника--Микроэлектроника Кл.слова (ненормированные): диэлектрические пленки -- кинетические модели -- структурные модели -- окисление кремниевых пластин -- диэлектрики Аннотация: Описываются термические,плазменные,пиролитические,фотохимические и другие способы формирования слоев диоксида и нитрида кремния,стекол с легирующими добавками. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Борисенко, В. Е. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Румак, Н. В. Компоненты МОП-интегральных микросхем [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. А. П. Достанко. - Минск : Навука i тэхнiка, 1991. - 311 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5343008240 : 2.30 р.
Рубрики: Электроника--Микроэлектроника Кл.слова (ненормированные): кремниевые пластины -- затворы -- контакты -- межсоединения -- изоляция межслойная -- изоляция межкомпонентная Аннотация: Изложены данные о влиянии условий получения на структуру и свойства основных компонентов МОП-интегральных микросхем: кремниевых подложек, подзатворных диэлектриков, пленок затвора, межслойной и межкомпонентной изоляции, контактов и межсоединений. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Достанко, А. П. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Румак, Н. В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. М. Колешко ; Физико-технич. ин-т (Минск) . - Минск : Наука и техника, 1986. - 240 с. : ил. ; 21см. - Библиогр.: с. 219. - 1.80 р.
Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--МОП-структуры Кл.слова (ненормированные): электроника -- интегральные микросхемы -- МДП-структуры -- полупроводниковые приборы -- пороговое напряжение -- окисные пленки -- многослойные структуры -- окисление кремния -- кремниевые пластины -- экзоэлектронная эмиссия -- пленки Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Колешко, В. М. |