Новые поступления (книга в стадии обработки) Вальковская, М. И. Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость [Текст] / М.И.Вальковская,Б.М.Пушкаш,Э.Е.Марончук. - Кишинев : Штиинца, 1984. - 108 с. : ил. ; 21см. - 1.20 р.
Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы Кл.слова (ненормированные): электротехника -- полупроводниковые материалы -- пластичность -- хрупкость -- микротвердость -- кремний -- германий -- кристаллические структуры -- деформирование кристаллов -- анизотропия -- склерометрическая микротвердость Аннотация: В монографии обобщен материал по изучению пластичности и хрупкости ряда полупроводниковых кристаллов при действии сосредоточенной нагрузки.Приведены новые результаты исследования и объяснения наблюдаемой анизотропии микротвердости.Показано,что метод микротвердости может быть использован для выявления включений в эпитаксиальных структурах,полученных на основе арсенида галлия. Рассмотрены некоторые вопросы по влиянию легирования и термообработки на микротвердость и распределение дислокаций в исследуемых полупроводниковых сигналлов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Пушкаш, Б. М. Марончук, Э. Е. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Боярская, Ю. С. Микротвердость [Текст] : научное издание / Ю. С. Боярская, М. И. Вальковская ; ред. В. Ф. Житарь ; Ин-т прикл. физики (Кишинев). - Кишинев : Штиинца, 1981. - 67 с. : ил. ; 16 см. - 0.10 р.
Рубрики: Испытания материалов--Твердость Кл.слова (ненормированные): МЕТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ -- СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ -- ПРЕДЕЛ ТЕКУЧЕСТИ -- ДИСЛОКАЦИЯ -- РОЗЕТКИ ТВЕРДОСТИ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ Аннотация: В работе в популярной форме изложены вопросы, связанные с микротвердостью, дано определение этой величины. Описаны различные методы ее измерения, причем основное внимание уделено микровдавливанию и царапанию (склерометрический метод). Показано, что метод микротвердости широко применяется на практике: при физико-химическом анализе, металлографических исследованиях, при изучении свойств тонких поверхностных слоев, в радиационной физике твердого тела, в минералогии и т.п. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Вальковская, М. И. Житарь, В. Ф. |