Новые поступления (книга в стадии обработки) Мьюрарка, Ш. Силициды для СБИС [Текст] / Ш. Мьюрарка; пер. с англ. В. В. Баранова; под ред. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986. - 176 с. : ил. ; 21см. - 1.80 р. Пред.указ.с.:171
Рубрики: Электроника--Интегральные схемы--СБИС Кл.слова (ненормированные): алюминиды -- бориды -- вжигание паст -- диэлектрическая прочность окисла -- карбиды -- мелкозалегающие контакты -- металлизация -- окисление кремния -- окислы -- переход контакта -- сопротивление -- цирконий -- химическая активность -- интегральные схемы -- СБИС Аннотация: Рассмотрены и обобщены результаты исследований электрических,термодинамических и механических свойств силицидов-соединений кремния с переходными металлами.Описываются методы использования силицидов в технологии сверхбольших интегральных схем,приведены конкретные примеры использования силицидной технологии при создании полупроводниковых электронных приборов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Баранов, В. В. Чистяков, Ю. Д. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Технология СБИС [Текст] : в 2 кн. / под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986.Кн. 1. - 1986. - 404 с. : ил. ; 23см. - Библиогр.: с. 400-402. - 3.00 р.
Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС Кл.слова (ненормированные): электроника -- интегральные микросхемы -- СБИС -- кремниевые ИС -- монокристаллы кремния -- эпитаксиальные слои -- осаждение пленок -- термическое окисление -- окисление -- диффузия -- ионная имплантация -- геттерирование -- литография Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Зи, С. \\ред.\\ Чистяков, Ю. Д. \\пер.\\ |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Чистяков, Ю. Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова. - М. : Металлургия, 1979. - 408 с. : ил. ; 20см. - 1.10 р.
Рубрики: Электроника--Микроэлектроника Кл.слова (ненормированные): эпитаксия -- автоэпитаксия -- полирование -- легирование -- процессы разрушения (физ. хим.) -- травление -- сварка -- спайка Аннотация: Пособие предназначено для студентов вузов, изучающих технологию микроэлектроники, а также конструирование и технологию радиотехнических микроэлектронных устройств. Изложены физико- химические основы процессов эпитаксии и получения тонких пленок, сварки и пайки, механической обработки, очистки поверхности материалов, а также легирования, модифицирования и фотолитографии. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Райнова, Ю. П. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Технология СБИС [Текст] : в 2 кн. / под ред. С. Зи [и др.] ; пер. с англ. В. Н. Лейкина. - М. : Мир, 1986. Кн. 2. - 1986. - 453 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 437-438. - 2.30 р.
Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС Кл.слова (ненормированные): ИОННО-ПЛАЗМЕННАЯ ОБРАБОТКА -- МЕТАЛЛИЗАЦИЯ -- БИПОЛЯРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ГЕРМЕТИЗАЦИЯ -- ТРАВЛЕНИЕ Аннотация: В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС, методы исследования и контроля технологических процессов, герметизация готовых ИС, тестирование и надежность готовых ИС. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Зи, С. \\ред.\\ Лейкин, В. Н. \\пер.\\ Чистяков, Ю. Д. \\ред.\\ Петров, В. Б. \\ред.\\ Эйдельман, Б. Л. \\ред.\\ |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Аморфные и поликристаллические полупроводники [Текст] / В. Хейванг, У. Биркхольц, Р. Айнцингер и др; под ред. В. Хейванга; пер. с нем. М. В. Акуленок; под ред. Ю. Д. Чистякова. - Москва : Мир, 1987. - 160 с. : ил. - 1.60 р. Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные полупроводники -- варисторы -- поликристаллические полупроводники -- термисторы -- термоэлектрические элементы Держатели документа: Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова) Доп. точки доступа: Хейванг, В. Биркхольц, У. Айнцингер, Р. Акуленок, М. В. Чистяков, Ю. Д. |