Новые поступления (книга в стадии обработки) Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники [Текст] : в 10 кн. : учебник / Ю. И. Горбунов, И. Я. Козырь. - М. : Высшая школа, 1989 - . Кн. 3 : Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. - 1989. - 143 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5-06-000305-1 : 0.20 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковая схемотехника -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые запоминающие устройства -- полупроводниковые изделия -- полупроводниковые интегральные схемы -- биполярные транзисторы -- униполярные транзисторы -- оптоэлектронные интегральные микросхемы -- оптоэлектронные материалы -- оптоэлектронные приборы Аннотация: В книге приведены основы физики полупроводников и принципы действия важнейших полупроводниковых приборов, используемых в качестве дискретных компонентов и элементов интегральных микросхем. Рассмотрены особенности и классификация интегральных микросхем. Описаны базовые элементы цифровых микросхем и принципы построения аналоговых микросхем. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Горбунов, Ю. И. Козырь, И.Я. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники [Текст] : в 10 кн. : учебник / С. Н. Никифорова-Денисова, Е. Н. Любушкин. - М. : Высшая школа, 1989 - . Кн. 5 : Термические процессы. - 1989. - 96 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5-06-000307-8 : 0.15 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): кремний -- кремниевая пленка -- галогенносодержащие среды -- пиролитическое осаждение SiO2 -- нитрид кремния -- диффузия -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксиальное наращивание Аннотация: В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин и эпитаксиального наращивания, приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, показаны последовательность и особенности выполнения операций, методы контроля параметров процессов и получаемых слоев. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Никифорова-Денисова, С. Н. Любушкин, Е.Н. |