Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Шухостанов, Амдулхамид Кистуевич.
    Лавинно-пролетные диоды: Физика, технология, применение [Текст] : научное издание / А. К. Шухостанов. - Москва : Радио и связь, 1997. - 208 с. - Библиогр. - ISBN 5-256-01387-4 : 26.00 р.
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
лавинно-пролетные диоды -- СВЧ-приборы -- СВЧ-усилители -- СВЧ-генераторы
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Фурман, Э. Г.
    СВЧ приборы с виртуальным катодом [Текст] / Э. Г. Фурман ; Томский политехн. ун-т. - Томск : Изд-во ТПУ, 1999. - 52 с. : ил. ; 21см. - 10.00 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Радиотехника--СВЧ техника

Кл.слова (ненормированные):
диоды -- СВЧ приборы -- катоды виртуальные
Аннотация: Проанализирована работа сильноточного диода с взрывоэмиссионным катодом и дан анализ образования "электронного резонатора" в устройстве СВЧ генератора выполненного по типу триода с виртуальным катодом. Показана связь собственных частот ЭР и внешнего резонатора, структуры электромагнитного поля ЭР и стоячей волны внешнего резонатора. Показано, что в стационарном состоянии в области ЭР накапливается заряд равный заряду переносимому пучком в зазоре сильноточного диода за четыре интервала времени пролета электроном зазора катод-анод.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.




Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Гусятинер, М. С.
    Полупроводниковые сверхвысокочастотные диоды [Текст] / М. С. Гусятинер. - М. : Радио и связь, 1983. - 224 с. : ил. ; 21см. - 0.75 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852.2

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
диоды Ганна -- диоды -- диоды СВЧ -- диоды детекторные -- диоды смесительные -- диоды сверхвысокочастотные -- диоды параметрические
Аннотация: Рассмотрены принцип действия,конструкция,технология изготовления, системы электрических параметров,методы их измерения и некоторые вопросы применения полупроводниковых СВЧ диодов всех классификационных групп:детекторных,смесительных,параметрических, умножительных,настроечных,управляющих и генераторных.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Егиазарян, Г. А.
    Магнитодиоды,магнитотранзисторы и их применение [Текст] / Г. А. Егиазарян. - М. : Радио и связь, 1987. - 88 с. : ил. ; 22см. - (Массовая б-ка инженера "Электроника"). - 0.30 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
магнитодиоды -- магнитотранзисторы -- магнитотиристоры -- магнитодиодный усилитель -- реле уровня
Аннотация: Приведены свойства,основные конструктивные особенности и основы технологии новых высокочувствительных гальваномагнитных приборов. Рассмотрены наиболее важные применения магнитодиодов и магнитотранзисторов и соответствующие схемы их включения.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Абидов, М. А.
    Статистические характеристики диодных структур [Текст] / М. А. Абидов. - М. : Радио и связь, 1989. - 152 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-256-00233-3 : 2.20 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводниковая электроника -- диоды -- вольт-амперная характеристика -- прямое включение (электр.) -- обратное включение -- p-n переход -- тепловой пробой -- коэффициент рассеивания -- датчики температуры
Аннотация: Рассматриваются статистические характеристики полупроводниковых диодных структур, даны исходные уравнения, описывающие вольт-амперные характеристики на основе математического анализа с графическим представлением полученных результатов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Пильдон, В. И.
    Полупроводниковые умножительные диоды [Текст] / В.И.Пильдон. - М. : Радио и связь, 1981. - 136 с. : ил. ; 20см. - 0.40 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы--Диоды

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые емкости -- конденсатор -- умножительные диоды -- возбуждение -- диоды -- полупроводниковые приборы -- типы конструкций диодов -- выходная мощность
Аннотация: Изложены особенности механизма умножения частоты на нелинейной полупроводниковой емкости.Проанализированы физические процессы в диоде при воздействии больших синусоидальных сигналов и рассмотрены аналитические соотношения между параметрами диода и электрофизическими характеристиками полупроводникового материала.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Гуляев, Ю. В.
    Эффективность использования мощности в установках СВЧ вакуумно-плазменной обработки структур микроэлектроники [Текст] / Ю. В. Гуляев, Р. К. Яфаров ; Ин-т Радиотехники и Электроники. - М. : [б. и.], 1989. - 53 с. : ил. ; 19 см. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.)
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Радиотехника--СВЧ техника

Кл.слова (ненормированные):
ПЛАЗМЕННАЯ ОБРАБОТКА -- ВАКУУМИРОВАНИЕ -- СВЧ ДИАПАЗОНА -- МИКРОВОЛНОВАЯ ПЛАЗМА
Аннотация: Рассмотрены вопросы использования мощности в установках СВЧ вакуумно-плазменной обработки структур микроэлектроники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Яфаров, Р. К.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Еремин, С. А.
    Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение [Текст] : научное издание / С. А. Еремин, О. К. Мокеев, Ю. Р. Носов ; под ред. Ю. Р. Носова. - М. : Советское радио, 1966. - 152 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 150 (62 назв.). - 0.39 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ДИОДЫ -- РАДИОЭЛЕКТРОНИКА -- ДИОДНЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Аннотация: Книга посвящена классу полупроводниковых приборов - диодам с накоплением заряда.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Мокеев, О. К.
Носов, Ю. Р.
Носов, Ю. Р.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Котт, В. М.
    Туннельные диоды в вычислительной технике [Текст] : научное издание / В. М. Котт, Г. К. Гаврилов, С. Ф. Баваров. - М. : Изд-во "Советское радио", 1967. - 216 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 212-214. - 0.75 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ТРИГГЕРЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ -- ЭМИТТЕР -- ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА -- ИНВЕНТОРЫ -- ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Гаврилов, Г. К.
Баваров, С. Ф.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Янчук, Е. В.
    Туннельные диоды в приемно-усилительных устройствах [Текст] / Е. В. Янчук. - М. : Энергия, 1967. - 56 с. : ил. ; 20 см. - (Массовая радиоб-ка ; вып. 628). - Библиогр.: с. 55 (4 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- УСИЛИТЕЛИ -- ГЕНЕРАТОРЫ -- ГАРМОНИЧЕСКИЕ КОЛЕБАНИЯ -- ДЕТЕКТОРЫ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЧАСТОТЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Лукес, Ю. Х.
    Схемы на полупроводниковых диодах [Текст] : научное издание / Ю. Х. Лукес ; пер. с нем. П. С. Богуславского. - М. : Энергия, 1972. - 336 с. : ил., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 325-332 (208 назв.). - 1.55 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ДИОДНЫЕ ВЫКЛЮЧАТЕЛИ -- СХЕМЫ РЕГУЛИРОВАНИЯ -- УСИЛИТЕЛИ -- ГЕНЕРАТОРЫ КОЛЕБАНИЙ -- СХЕМЫ МОДУЛЯЦИИ -- ПРИМЕНЕНИЕ СТАБИЛИЗАТОРОВ
Аннотация: Материал книги посвящен классификации и анализу схем на полупроводниковых диодах и их применению. Теоретические вопросы освещены очень кратко в пределах, необходимых для понимания излагаемого материала.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Богуславский, П. С.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Головко, В. Г.
    Полупроводниковые емкости [Текст] / В. Г. Головко ; отв. ред. М. М. Савкин. - Новосибирск : Наука, 1967. - 51 с. : ил., граф. ; 22 см. - Библиогр.: с. 49-50 (25 назв.)
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЕМКОСТИ -- ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ -- ПАРАМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ -- КОЛЕБАНИЯ -- ВАРИКАПЫ
Аннотация: В брошюре рассматриваются вопросы физики полупроводниковых емкостей и некоторые случаи их применения. Полупроводниковые емкости являются нелинейными, так как заряд в них зависит от внешнего напряжения нелинейно.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Савкин, М. М.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
   
    Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов [Текст] : научное издание / С. Н. Иванов, Н. А. Пенин, Н. Е. Скворцова, Ю. Ф. Соколов. - М. : Советское радио, 1965. - 191 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 185-186 (42 назв.). - 0.53 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Приборы СВЧ

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ ДИОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ВИДЕОДЕТЕКТОР -- ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Иванов, С. Н.
Пенин, Н. А.
Скворцова, Н. Е.
Соколов, Ю. Ф.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Чжоу, В. Ф.
    Принципы построения схем на туннельных диодах [Текст] : научное издание / В. Ф. Чжоу ; пер. с англ. Н. З. Шварца. - М. : Мир , 1966. - 447 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - 2.01 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Электронные схемы

Кл.слова (ненормированные):
ПОСТРОЕНИЕ СХЕМ -- ЛОГИЧЕСКИЕ СХЕМЫ -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- ДИОДЫ -- ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Шварц, Н. З.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Носов, Ю. Р.
    Полупроводниковые импульсные диоды [Текст] : научное издание / Ю. Р. Носов. - М. : Изд-во "Советское радио", 1965. - 224 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 222-223. - 0.58 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ -- ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ -- ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ -- ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
   
    Туннельные диоды [Текст] : физические основы работы : монография / Н. А. Белова [и др.] ; Ин-т радиотехники и электроники. - М. : Изд-во "Наука", 1966. - 142 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 0.56 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТУННЕЛЬНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ИМПУЛЬСНАЯ СВАРКА -- РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- МАЛОШУМЯЩИЕ УСИЛИТЕЛИ -- ГЕНЕРАТОРЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Белова, Н. А.
Бонч-Бруевич, В. Л.
Зильберман, П. Е.
Ковалев, А. Н.
Серебренников, П. С.
Скворцова, Н. Е.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Стриха, В. И.
    Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) [Текст] : научное издание / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева, И. А. Радзиевский. - М. : Советское радио, 1974. - 248 с. : черт. ; 25 см. - Библиогр.: с. 230-244 (93 назв.). - 1.50 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- ДИОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Рассматриваются физические основы работы диодов с барьером Шоттки. Особое внимание обращается на роль диэлектрического зазора и поверхностных состояний в контакте металл - полупроводник. Описываются технологические методы получения диодов с заданными параметрами.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Бузанева, Е. В.
Радзиевский, И. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Михин, Д. В.
    Кремниевые стабилитроны [Текст] : научное издание / Д. В. Михин. - М. ; Л. : Изд-во "Энергия", 1965. - 112 с. : черт. ; 20 см. - (Б-чка по автоматике ; вып. 149). - Библиогр.: с. 108-112 (96 назв.). - 0.30 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЕВЫХ СТАБИЛИТРОНОВ -- ПАРАМЕТРЫ СТАБИЛИТРОНОВ -- ИМПУЛЬСНЫЕ СХЕМЫ -- РЕЛЕЙНЫЕ СХЕМЫ -- УСИЛИТЕЛИ -- РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ СХЕМЫ -- ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА -- ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕГРУЗКИ
Аннотация: Книга знакомит читателя с принципами работы, характеристиками и параметрами кремниевых стабилитронов. Приводится ряд примеров применения стабилитронов в радиоэлектронных и электроизмерительных схемах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Пикус, Г. Е.
    Основы теории полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / Г. Е. Пикус. - М. : Наука, 1965. - 448 с. : ил. ; 21 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 443-448 (71 назв.). - 1.23 р.
Прил.: с. 434-442
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ДИФФУЗИОННЫЙ ТОК -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ИМПУЛЬСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- ФОТОТРАНЗИСТОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
Аннотация: В книге изложены теория контактных явлений и принципы работы разнообразных полупроводниковых приборов. Для того чтобы лучше уяснить эти физические принципы и иметь возможность провести все расчеты, в книге рассматриваются наиболее простые модели, позволяющие более четко выделить основные явления и получить окончательные формулы в простом виде.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Носов, Ю. Р.
    Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме [Текст] : научное издание / Ю. Р. Носов. - М. : Изд-во "Наука" ; М. : Гл. ред. физматлит, 1968. - 263 с. : черт. ; 21 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 253-263 (166 назв.). - 1.07 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- ИМПУЛЬСНЫЕ РЕЖИМЫ -- ПЛОСКОСТНЫЕ ДИОДЫ -- УРАВНЕНИЯ ДИФФУЗИИ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДИОДЫ -- ПРЯМОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ -- ПРЯМОЕ НАПРЯЖЕНИЕ -- ТЕОРИЯ РЕКОМБИНАЦИИ -- ОБРАТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.