Новые поступления (книга в стадии обработки) Сергеев, Сергей Алексеевич. Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Рукопись] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177 л. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.) Приложение: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 829874
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Приложение:Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Михайлов, Александр Иванович |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Сергеев, Сергей Алексеевич. Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.). - ISBN [Б. и.] Издание является приложением к документу: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177. - ISBN [Б. и.]. Шифр 778942
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Является приложением к Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов\par Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Михайлов, Александр Иванович |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Шмарцев, Ю. В. Тугоплавкие алмазоподобные полупроводники [Текст] : научное издание / Ю. В. Шмарцев, Ю. А. Валов, А. С. Борщевский ; под ред.: Н. А. Горюновой, Д. Н. Наследова. - М. : Изд-во "Металлургия", 1964. - 208 с. : черт. ; 21 см. - Библиогр.: с. 196-205 (322 назв.). - 0.65 р.
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ -- СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ -- КУБИЧЕСКИЙ НИТРИД -- НИТРИД АЛЮМИНИЯ -- НИТРИД ГАЛЛИЯ Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Валов, Ю. А. Борщевский, А. С. Горюнова, Н. А. Наследов, Д. Н. |