Новые поступления (книга в стадии обработки) Мощные высокочастотные транзисторы [Текст] / Ю. В. Завражнов [и др.]. - М. : Радио и связь, 1985. - 176 с. : ил. ; 20см. - Библиогр.: с. 173. - 0.50 р.
Рубрики: Электроника--Транзисторы Кл.слова (ненормированные): электроника -- транзисторы -- высокочастотные транзисторы -- мощные транзисторы -- параметры транзисторов -- надежность транзисторов -- применение транзисторов Аннотация: Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Завражнов, Ю. В. Каганова, И. И. Мазель, Е. З. Миркин, А. И. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Нарышкин, А. К. Теория низкочастотных шумов [Текст] : научное издание / А. К. Нарышкин, А. С. Врачев. - М. : Энергия, 1972. - 152 с. : ил., граф. ; 20 см. - (Б-ка по радиоэлектронике ; вып. 37). - Библиогр.: с. 140-152. - 0.44 р.
Рубрики: Связь--Шумы Кл.слова (ненормированные): ШУМЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ -- ИЗМЕРЕНИЕ ШУМОВ -- ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ФИЛЬТРЫ -- ИМПУЛЬСНЫЕ МЕТОДЫ -- МАЛОШУМЯЩИЕ УСИЛИТЕЛИ -- НАДЕЖНОСТЬ ТРАНЗИСТОРОВ -- ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ КОЛЕБАНИЯ Аннотация: В книге дается подробный обзор существующих теорий, объясняющих математическую и физическую сущность НЧ шума. Обсуждается техника и результаты экспериментального исследования шумов резисторов, электронных и полупроводниковых приборов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Врачев, А. С. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Обеспечение надежности полупроводниковых устройств [Текст] / пер. с англ., под ред. А. С. Савиной = Semiconbuctor reliability / ed W. Alven : переводное издание. - М. : Изд-во "Мир", 1964. - 464 с. : ил., граф., табл., черт. ; 22 см. - 1.84 р. Тит. л. парал. на англ. яз.
Кл.слова (ненормированные): МЕТОДЫ АНАЛИЗА СИСТЕМ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- НАДЕЖНОСТЬ ТРАНЗИСТОРОВ -- ДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПРИБОРОВ Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Савина, А. С. |