Новые поступления (книга в стадии обработки) Тилл, У. Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Д. Лаксон ; пер. с англ. : М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого ; под ред. М. В. Гальперина. - М. : Мир, 1985. - 501 с. : ил. ; 22см. - 2.40 р.
Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы Кл.слова (ненормированные): электроника -- интегральные микросхемы -- технология интегральных схем -- кремний -- энергетические зоны -- свойства кристаллов -- дефекты кристаллов -- выращивание кристаллов -- зонная плавка -- фазовые диаграммы -- твердые растворы -- твердая растворимость -- диффузия -- ионное внедрение -- имплантация -- законы Фика -- эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные пленки -- диоды -- биполярные транзисторы Аннотация: Рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагается теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Лаксон, Д. Левин, М. Б. Микуцкий, В. Г. Гальперин, М. В. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Тилл, Уильям. Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. с англ. М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого; ред. М. В. Нальперин. - Москва : Мир, 1985. - 501 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 496 - 501. - 02.40 р. Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): биполярные транзисторы -- диоды -- диффузия -- изготовление гибридных схем -- изготовление интегральных схем -- имплантация -- интегральные схемы -- ионное внедрение -- кристаллы -- литография -- полевые транзисторы -- твердые растворы -- технология интегральных схем -- толстопленочные схемы -- тонкопленочные схемы -- фазовые диаграммы -- цифровые логические элементы -- энергетические зоны -- эпитаксиальные слои Аннотация: В книге американских специалистов рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагаются теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания. Держатели документа: Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова) Доп. точки доступа: Лаксон, Джеймс Левин, М. Б. Микуцкий, В. Г. Нальперин, М. В. |