Новые поступления (книга в стадии обработки) Гаврилов, Р. А. Основы физики полупроводников [Текст] : учеб. пособие / Р. А. Гаврилов, А. М. Скворцов. - М. : Изд-во "Машиностроение", 1966. - 288 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр.: с. 285-286 (57 назв.). - 0.76 р. Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для техникумов
Рубрики: Физика--Полупроводники Кл.слова (ненормированные): СТРОЕНИЕ ТВЕРДЫХ ТЕЛ -- МАГНЕТОН БОРА -- СТРОЕНИЕ АТОМА -- СВОЙСТВА ГЕРМАНИЯ -- КРЕМНИЙ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- СООТНОШЕНИЯ ЭЙНШТЕЙНА Аннотация: В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происходящие при очистке и выращивании монокристаллов полупроводниковых материалов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Скворцов, А. М. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Блекмор, Д. Статистика электронов в полупроводниках [Текст] / Д. Блекмор ; под ред. Л. Л. Коренблита = Semiconductor statistics / J. S. Blakemore : пер. с англ. - М. : Изд-во "Мир", 1964. - 392 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.73 р. Тит. л. парал. загл. на англ. яз.
Рубрики: Физика--Полупроводники Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛЬ ЗОММЕРФЕЛЬДА -- ЗОНЫ БРИЛЛЮЭНА -- ТЕОРИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ -- УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ Аннотация: В книге рассмотрена статистика носителей тока в полупроводника. Основное внимание уделено обсуждению различных механиков рекомбинации свободных электронно-дырочных пар и рассмотрены процессы диффузии и дрейфа носителей тока. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Коренблит, Л. Л. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Полякова, А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / А. Л. Полякова. - М. : Энергия, 1979. - 168 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 160-165 (109 назв.). - 0.50 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Электроника--Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): БАРЬЕР ШОТТКИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ДИОДЫ -- МЕХАНИЧЕСКИЕ ВЕЛИЧИНЫ -- НЕОДНОРОДНАЯ ДЕФОРМАЦИЯ Аннотация: В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций, как однородных, так и неоднородных. Рассмотрено влияние этих деформаций на электрические характеристики полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, туннельных диодов, диодов с барьером Шоттки и др. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Саморуков, Б. Е. Дефекты полупроводников [Текст] : учеб. пособие / Б. Е. Саморуков ; Ленинградский ордена Ленина политехн. ин-т им. М. И. Калинина. - Л. : ЛПИ, 1977. - 72 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 71 (26 назв.). - 0.25 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Кл.слова (ненормированные): ДЕФЕКТЫ -- ТЕПЛОВЫЕ КОЛЕБАНИЯ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ Аннотация: Пособие посвящено дефектам полупроводников. Рассмотрены тепловые, электронные и точечные дефекты кристаллов. особое внимание уделено примесям и основам легирования полупроводников. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Мямлин, В. А. Электрохимия полупроводников [Текст] : монография / В. А. Мямлин, Ю. В. Плесков ; Ин-т электрохимии (Москва). - М. : Изд-во "Наука", 1965. - 338 с. : ил., рис., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.61 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Химия--Электрохимия Кл.слова (ненормированные): ФИЗИЧЕСКИЕ ЗНАНИЯ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ -- АДСОРБЦИЯ -- ЭЛЕКТРОДНЫЕ РЕАКЦИИ -- КИНЕТИКА -- КОРРОЗИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ЭЛЕКТРОДЫ Аннотация: Эта книга монография возникла на основе исследования монокристаллических полупроводниковых материалов. В настоящей книге не рассматриваются поликристаллические полупроводники, в частности, окислые пленки полупроводникового характера на вентильных металлах (алюминии, тантале и других), поскольку вопрос о применимости к ним основных представлений электрохимии монокристаллических полупроводников остается открытым. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Плесков, Ю. В. |