Новые поступления (книга в стадии обработки) Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах [Текст] : учеб. пособие для вузов по направлению "Техническая физика" / Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, Е. Л. Ивченко ; . - Санкт-Петербург : Наука, 2000. - 157, [3] с. - (Новые разделы физики полупроводников). - Библиогр. - ISBN 5-02-024928-9 (в пер.) : 35.00 р. Федер. целевая прогр."Гос. поддержка интеграции высш. образования и фундам. науки на 1997-2000 годы"
Рубрики: физика--физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- наноструктуры -- кинетические явления -- оптические явления -- сильные электрические поля -- носители заряда -- физика горячих электронов Аннотация: Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери электроном при взаимодействии с решеткой. Для студентов, аспирантов, научных сотрудников. Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Воробьев, Л. Е. Воробьёв, Л. Е. Данилов, С. Н. Ивченко, Е. Л. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Руководство к практическим занятиям по курсу "Методы исследования полупроводниковых материалов, приборов и ИМС" [Текст] : учеб. пособ. - Саратов : Б. и. Ч. 2. - 1981. - 34 c. : ил. - Библиогр. - ISBN Б. и. : 10.00 р.
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- носители заряда -- эпитаксия -- германий -- кремний Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Сельский, Антон Олегович. Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределенной среде, содержащей носители заряда [Рукопись] : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 01.04.04 : защищена 17.10.2014 / А. О. Сельский ; науч. рук.: А. А. Короновский, А. Е. Храмов ; ФГБОУ ВПО "Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского". - Саратов : [б. и.], 2014. - 116 л. : граф., ил. + 1 автореф. - [Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределённой среде, содержащей носители заряда] . - Библиогр.: л. 104-116 (85 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.) Приложение: Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределенной среде, содержащей носители заряда : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 01.04.04 / А. О. Сельский ; науч. рук.: А. А. Короновский, А. Е. Храмов. - Саратов : [б. и.], 2014. - 19, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 530.182(043.3)/С 298
Рубрики: физика--теоретическая физика--электромагнетизм Кл.слова (ненормированные): пространственно-временная динамика -- электронные структуры -- напряженность электрического поля -- нелинейные среды -- носители заряда. - Приложение:Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределенной среде, содержащей носители заряда : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 01.04.04 / А. О. Сельский ; науч. рук.: А. А. Короновский, А. Е. Храмов Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Короновский, Алексей Александрович Храмов, Александр Евгеньевич |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Сельский, Антон Олегович. Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределенной среде, содержащей носители заряда [Текст] : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 01.04.04 / А. О. Сельский ; науч. рук.: А. А. Короновский, А. Е. Храмов ; ФГБОУ ВПО "Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского". - Саратов : [б. и.], 2014. - 19, [1] с. : ил. - [Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределённой среде, содержащей носители заряда] . - Библиогр.: с. 17-19 (17 назв.). - ISBN [Б. и.] Издание является приложением к документу: Формирование и эволюция концепции политической социализации в американской политологии : дис. ... д-ра полит. наук : 23.00.01 : защищена 09.06.2006 / В. И. Демченко ; науч. консультант Л. М. Семеренко. - Саратов : [б. и.], 2006. - 427. - ISBN [Б. и.]. Шифр 955844
Рубрики: физика--теоретическая физика--электромагнетизм Кл.слова (ненормированные): пространственно-временная динамика -- электронные структуры -- напряженность электрического поля -- нелинейные среды -- носители заряда. - Является приложением к Формирование и эволюция концепции политической социализации в американской политологии : дис. ... д-ра полит. наук : 23.00.01 : защищена 09.06.2006 / В. И. Демченко ; науч. консультант Л. М. Семеренко\par Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Короновский, Алексей Александрович Храмов, Александр Евгеньевич |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Чопра, К. Тонкопленочные солнечные элементы [Текст] / К. Чопра, С. Дас ; пер. с англ. И. П. Гавриловой ; под ред. М. М. Колтуна. - М. : Мир, 1986. - 435 с. : ил. ; 21см. - 4.00 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): графоэпитаксия -- концентрация -- кремний -- полупроводниковые приборы -- микроанализатор -- носители заряда -- распыление -- проницаемость диэлектрическая -- рекомбинация -- сульфид кадмия -- спектроскопия -- сопротивление -- солнечные элементы -- диэлектрические пленки Аннотация: Изложены методы осаждения и физические свойства многослойных пленок различных полупроводников, диэлектриков и металлов. Рассмотрены новые виды солнечных элементов и новые направления в разработке высокоэффективных элементов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Дас, С. Гаврилова, И. П. Колтун, М. М. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Физические основы полупроводниковой электроники [Текст] / под ред. О. В. Снитко. - К. : Наукова думка, 1985. - 304 с. : ил. ; 21см. - 3.80 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): носители заряда -- полупроводники -- электроны -- оптическая активность -- релаксация -- электрические поля -- полупроводниковая электроника -- гетероэпитаксиальные системы -- широкозонные полупроводники -- флуктуационные явления -- фоторезисторы -- криогенная термометрия -- полупроводниковые криотермометры -- многополюсник -- излучатели Аннотация: Дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследований,проводимых в Институте полупроводников АН УССР.Освещены современное состояние и перспективы развития исследований по материаловедению полупроводников,фотоэлектронике и метрической электронике,определяющие новые пути в современном полупроводниковом приборостроении. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Снитко, О. В. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Соболев, Вадим Дмитриевич. Физические основы электронной техники [Текст] : учеб. для высш. учеб. заведений / В. Д. Соболев. - Москва : Высшая школа, 1979. - 448 с. : ил. - ). - Библиогр.: с. 439. - Предм. указ.: с. 442 - 445. - 1.30 р. Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): атомы -- квантовая механика -- материальные среды -- молекулы -- носители заряда -- полупроводники -- строение атомов -- строение молекул -- электрический ток -- явления переноса Аннотация: Приводятся основные положения и уравнения квантовой механики; рассматриваются физические явления, определяющие работу электронных, ионных и полупроводниковых приборов; свойства газообразной среды и твердых кристаллических тел, процессы переноса, генерация, рекомбинация носителей заряда, явления на поверхностях и границах раздела, закономерности движения заряженных частиц в вакууме в электрических и магнитных полях, основные виды электрических разрядов в газах. Держатели документа: Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова) |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Епифанов, Г. И. Физические основы микроэлектроники [Текст] : учеб. пособие / Г. И. Епифанов. - М. : Советское радио, 1971. - 376 с. ; 21 см. - 0.85 р. Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обуч. по спец. "Конструирование и производство радиоаппаратуры"
Рубрики: ЭЛЕКТРОНИКА--МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Кл.слова (ненормированные): НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТЬ -- ЭЛЕКТРОНЫ -- КВАНТОВАЯ МЕХАНИКА -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА Аннотация: Рассмотрены элементы квантовой механики и статистической физики, а также основы физики твердого тела, контактные и поверхностные явления в твердом теле, необходимые при изучении курса микроэлектроники. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Аскеров, Б. М. Электронные явления переноса в полупроводниках [Текст] : научное издание / Б. М. Аскеров. - М. : Наука, 1985. - 320 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 310-318. - 3.50 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Кл.слова (ненормированные): ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА -- ТЕРМОМАГНИТНАЯ ОБРАБОТКА -- НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА -- МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ -- РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ Аннотация: Посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теория гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Фистуль, В. И. Сильно легированные полупроводники [Текст] : монография / В. И. Фистуль. - М. : Физматгиз, 1967. - 415 с. : ил., граф., рис., табл. ; 19 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 397-415. - 1.49 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Кл.слова (ненормированные): ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР -- РАДИОЭЛЕКТРОНИКА -- НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА -- ВЫРОЖДЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ -- МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ -- ОТРАЖЕНИЕ СВЕТА -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- ТЕНЗОМЕТРЫ Аннотация: В данной монографии обобщены и систематизированы теоретические и экспериментальные результаты исследований полупроводников при их легировании до концентраций примеси, близких к предельным. Тем самым, большая степень легирования приведет к открытию новых явлений, как, например, появление "хвоста" плотности состояний в запрещенной зоне и существование легирующих примесей в кристалле не только в виде раствора, но и в других формах. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Ржанов, А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводников [Текст] : монография / А. В. Ржанов. - М. : Изд-во "Наука", 1971. - 480 с. : ил. ; 21 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 467-476 (272 назв.). - 1.81 р.
Рубрики: Физика--Электронные явления Кл.слова (ненормированные): ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА -- ПОВЕРХНОСТНОЕ РАССЕЯНИЕ -- АТОМАРНО-ЧИСТАЯ ПОВЕРХНОСТЬ Аннотация: Монография посвящена полупроводникам. В ней дано систематическое и последовательное изложение представлений об электронном строении поверхности полупроводников, характере и специфике поверхностных электронных процессов в полупроводниках, методах и основных результатах их экспериментальных исследований. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |