Новые поступления (книга в стадии обработки) Комаров, Фадей Фадеевич. Ионная имплантация диэлектриков [Текст] : научное издание / Ф. Ф. Комаров, А. В. Леонтьев. - Минск : БГУ [изд.], 2010. - 190, [2] с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 187-189 (72 назв.). - ISBN 978-985-518-363-2 : 135.00 р.
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): диэлектрические материалы -- диэлектрики -- заряженные частицы -- ионное легирование -- трековая электроника -- ионная имплантация -- диэлектрические микроволноводы Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Леонтьев, Александр Викторович |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Бекренев, Н. В. Высокоэффективные процессы обработки материалов и нанесения покрытий концентрированными потоками энергии (теоретические основы) [Текст] : учеб. пособие для студ. спец. 120700 / Н. В. Бекренев, А. В. Лясникова, Д. В. Трофимов ; ред. В. Н. Лясников. - Саратов : СГТУ, 2003 - . Ч. 1. - 84 с. ; 20см. - ISBN 5-7433-1274-5 : 27.85 р.
Рубрики: Обработка материалов--Напыление Кл.слова (ненормированные): обработка материалов -- напыление -- нанесение покрытий -- бесконтактное формообразование -- штамповка -- ионное легирование -- имплантация Аннотация: Рассмотрены вопросы общей теории бесконтактного формообразования деталей при воздействии на материалы концентрированных потоков различных видов энергии. Изложены закономерности переноса энергии и вещества в разрядном промежутке и управлении параметрами процесса. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Лясникова, А. В. Трофимов, Д. В. Лясников, В. Н. \\ред.\\ |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Ефимов, И. Е. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность [Текст] : учеб. пособие для вузов / И. Е. Ефимов, Ю. И. Горбунов, И. Я. Козырь. - М. : Высшая школа, 1977. - 416 с. : ил. ; 22см. - 1.30 р.
Рубрики: Электроника--Микроэлектроника Кл.слова (ненормированные): эффект Ганна -- фотолитография -- локальная диффузия -- ионное легирование -- металлизация -- изготовление ИМС -- контроль качества -- надежность -- испытание ИМС -- полупроводниковые диоды -- полевые транзисторы -- тиристоры Аннотация: В книге изложены физические и технологические основы полупроводниковой и пленочной микроэлектроники, основы работы активных элементов в ИМС; рассмотрены конструктивно-технологические особенности, материалы и элементы конструкции ИМС, их структурные элементы, процессы изготовления ИМС, контроль качества ИМС при изготовлении, испытания микросхем. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Горбунов, Ю. И. Козырь, И. Я. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Мокеев, О. К. Технология полупроводникового производства [Текст] : учеб. пособие / О. К. Мокеев. - М. : Высшая школа, 1984. - 176 с. : ил. ; 20см. - 0.20 р.
Рубрики: Электроника--Технология производства Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- полупроводниковая схемотехника -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые материалы -- механическая обработка полупроводников -- химическая обработка полупроводников -- ионная обработка полупроводников -- плазмохимическая обработка полупроводников -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия -- легирование -- ионное легирование Аннотация: В книге описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и микросхем. Рассмотрены процессы изготовления биполярного и МДП-транзисторов, а также интегральных микросхем на их основе. Пособие является программированным и содержит материал обеспечивающий самоконтроль усвоения информации и исправление ошибок, возникающих в процессе работы учащихся. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Грищенко, А. Ф. Ионное легирование в микроэлектронике [Текст] : учеб. пособие для средн. проф.-техн. училищ / А. Ф. Грищенко. - М. : Высшая школа, 1985. - 48 с. : ил. ; 20см. - 0.05 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы--Микроэлектроника Кл.слова (ненормированные): электроника -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- микроэлектроника -- ионное легирование -- технологический процесс -- электрические характеристики Аннотация: В учебном пособии изложены начальные сведения по физике ионного легирования полупроводниковых материалов. Описаны некоторые технологические процессы ионного легирования, а также основное типовое оборудование, применяемое в этих процессах. Рассмотрены вопросы безопасности при работе на установках ионного легирования. Брошюра предназначена для преподавателей и мастеров производственного обучения средних профессионально-технических училищ. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Маллер, Р. Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.
Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы Кл.слова (ненормированные): электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Кейминс, Т. Мазель, Е. З. Ходош, Л. С. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Сулима, А. М. Поверхностный слой и эксплуатационные свойства деталей машин [Текст] / А. М. Сулима, В. А. Шулов, Ю. Д. Ягодкин. - М. : Машиностроение, 1988. - 240 с. : ил. ; 22 см. - ISBN 5-217-00060-0 : 2.20 р.
Рубрики: Детали машин--Надежность деталей машин Кл.слова (ненормированные): деформации -- разрушение металла -- детали машин -- надежность машин -- шероховатость поверхностей -- волнистость -- трение -- износ -- лазерная обработка -- ионное легирование -- коррозионная стойкость -- термодинамика химических реакций -- деформационное упрочнение -- эксплуатационные свойства Аннотация: Рассмотрены параметры, определяющие физико-химическое состояние поверхностного слоя деталей машин, методы и средства их измерения, приведены зависимости параметров поверхностного слоя от методов и режимов обработки. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Шулов, В. А. Ягодкин, Ю. Д. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Зорин, Е. И. Ионное легирование полупроводников [Текст] : научное издание / Е. И. Зорин, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум. - М. : Энергия, 1975. - 128 с. : рис., табл. ; 20 см. - (Б-ка радиотехнолога ; вып. 6). - Библиогр.: с. 120-128. - 0.39 р.
Рубрики: Электротехника--Электрические материалы Кл.слова (ненормированные): ПРОБЕГИ ИОНОВ -- ПРИМЕСНЫЕ АТОМЫ -- АМОРФИЗАЦИЯ -- ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ Аннотация: Посвящена физическим основам и применению ионного легирования полупроводников. Кратко излагаются теоретические и экспериментальные данные о пробегах и распределении ускоренных ионов в твердых телах. Освещен вопрос о влиянии радиационных дефектов на диффузию внедренной примеси. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Павлов, П. В. Тетельбаум, Д. И. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Технология ионного легирования [Текст] : научное издание / под ред. С. Намбы, П. В. Павлова ; пер. с яп. В. Ф. Овчарова. - М. : Советское радио, 1974. - 158 с. : ил. ; 16 см. - Библиогр.: с. 140-156 (244 назв.). - 0.51 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Аннотация: Рассматриваются методы получения кремниевых полупроводниковых приборов с помощью ионного легирования, а также ионное легирование сложных полупроводниковых материалов. Подробно излагаются методы измерения электрических характеристик полупроводниковых приборов, полученных ионным легированием. Книга написана в простой и доступной форме. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Намба, С. Павлов, П. В. Овчаров, В. Ф. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Электроника и ее применение [Текст] : сборник. - М. : ВИНИТИ, 1976. Т. 7 / С. А. Иноземцев [и др.]. - 1976. - 163 с. : ил. ; 22 см. - (Итоги науки и техники). - Библиогр.: с. 157-163 (122 назв.). - 1.06 р.
Рубрики: Электроника Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ДЕФЕКТЫ -- БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Аннотация: Том посвящен ионному легированию как методу изготовления полупроводниковых приборов, жидкокристаллическим индикаторам, новым применениям барьера Шоттки в полупроводниковой электронике и механизмам дефектообразования в кремнии и воздействию дефектов на параметры биполярных транзисторов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Иноземцев, С. А. Яблонский, Ф. М. Курочкин, В. А. Гулидов, Д. Н. |