Новые поступления (книга в стадии обработки) Меден, А. Физика и применение аморфных полупроводников [Текст] : пер.с англ. / А. Меден. - М. : Мир, 1991. - 670 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001895-6 : 5.90 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): физика -- электропроводность -- аморфные полупроводники -- аморфные материалы -- аморфный кремний -- Электрофотография -- полупроводниковые сплавы -- оптическая память -- халькогениды -- халькогенидные полупроводники Аннотация: Изложены принципы работы приборов на основе аморфных полупроводников.Рассматриваются свойства и применения аморфного кремния и соединений на его основе,а также халькогенидных полупроводников. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Модифицирование и легирование поверхности лазерными,ионными и электронными пучками [Текст] / Под ред. Дж. М. Поута; Пер. с англ. Н. К. Мышкина. - М. : Машиностроение, 1987. - 424 с. : ил. ; 21 см. - 2.20 р.
Рубрики: Обработка материалов--Лазерная обработка Кл.слова (ненормированные): обработка материалов -- лазерная обработка -- модифицирование поверхности -- легирование -- поверхностный нагрев -- распыление материалов -- массоперенос -- ионное облучение -- лазерные излучения -- аморфный кремний -- взрывная кристаллизация -- сегрегация -- пикосекундный лазер -- аморфные металлы -- адсорбция -- легирование алюминия -- пластическая деформация -- фреттинг Аннотация: Изложены методы обработки металлов концентрированными потоками энергии. Рассмотрены процессы рекристаллизации твёрдой фазы в кремнии, методы создания метастабильных сверхпроводящих сплавов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Поут, Д.М. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Физико-химические основы надежности микроэлектронных структур [Текст] : межвуз. сб. науч. тр. / Воронежский политехн. ин-т. - Воронеж : ВПИ, 1987. - 91 с. : ил. ; 28 см. - Библиогр. в конце ст. - 0.70 р.
Рубрики: Электроника--Микроэлектроника Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- АМОРФНЫЙ КРЕМНИЙ -- ТВЕРДОТЕЛЫЕ СТРУКТУРЫ -- ИМПЛАНТИРОВАННЫЕ СЛОИ Аннотация: Представлены результаты анализа физико-химических процессов деградации полупроводниковых материалов, интегральных схем и элементов их конструкции. Рассмотрено влияние технологических факторов и внешних воздействий на физические свойства структур, изготовленных с использованием монокристаллического, поликристаллического и аморфного кремния. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |