Новые поступления (книга в стадии обработки) Сергеев, Сергей Алексеевич. Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Рукопись] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177 л. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.) Приложение: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 829874
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Приложение:Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Михайлов, Александр Иванович |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Сергеев, Сергей Алексеевич. Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.). - ISBN [Б. и.] Издание является приложением к документу: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177. - ISBN [Б. и.]. Шифр 778942
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Является приложением к Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов\par Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Михайлов, Александр Иванович |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Кац, А. М. Сигнал в лампах с бегущей волной [Текст] / А. М. Кац, В. П. Кудряшов, Д. И. Трубецков. - Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 1984 - . Ч. 1 : Лампа с бегущей волной О-типа. - 1984. - 144 с. : ил. ; 21 см. - 1.20 р.
Рубрики: Электроника--Лампы бегущей волны Кл.слова (ненормированные): электроника -- лампы с бегущей волной -- ЛБВ -- ЛБВО -- нелинейные искажения -- параметрическое взаимодействие -- многочастотный режим -- паразитные колебания Аннотация: Описываются механизмы возбуждения, приближенные методы расчета, способ и средства уменьшения нежелательных колебаний в лампе с бегущей волной О-типа в режимах одно-и многосигнального усиления. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Кудряшов, В. П. Трубецков, Д. И. |