Новые поступления (книга в стадии обработки) Валиев, К. А. Применение контакта металл-полупроводник в электронике [Текст] / К.А.Валиев,Ю.И.Пашинцев,Г.В.Петров. - М. : Радио и связь, 1981. - 304 с. : ил. ; 20см. - 1.10 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- транзисторы Аннотация: Рассматривается выпрямляющий контакт металл-полупроводник. Описывается применение диодов Шоттки и полевых транзисторов с затвором Шоттки в различных электронных устройствах. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Пашинцев, Ю. И. Петров, Г. В. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Микроэлектроника и полупроводниковые приборы [Текст] : сб.ст. / А. А. Васенков, Я. А. Федотова. - М. : Советское радио, 1977 - . Вып. 2. - 1977. - 304 с. : ил. ; 21см. - 1.14 р.
Рубрики: Электроника--Микроэлектроника--Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): микроэлектроника -- полупроводниковые приборы -- электроника твердого тела -- электронные схемы -- МДП-транзисторы -- помехоустойчивость -- микропроцессорные БИС -- сверхбыстродействующие БИС -- интегральные компораторы -- матрица памяти -- запоминающие устройства -- оптроны -- СВЧ интегральные схемы -- смесители на диодах -- барьер Шоттки -- формирователь видеосигналов -- магнитодиодные датчики -- магниточувствительные интегральные схемы -- емкостные фильтры -- источники тока Аннотация: Опубликованы статьи по следующим вопросам:проблемы электроники твердого тела,расчет и оптимизация характеристик биполярных и МДП- интегральных схем,элементная база для высокопроизводительных универсальных и специализированных вычислительных машин, классификация и основные характеристики оптронов для микроэлектронной аппаратуры,устройства на приборах с зарядовой связью и их параметры и др. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Васенков, А. А. Федотова, Я. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Гуртов, В. А. Твердотельная электроника [Текст] : учеб. пособие / В. А. Гуртов. - 2-е изд., доп. - М. : Техносфера, 2005. - 408 с. : ил. ; 25 см. - (Мир электроники). - Библиогр.: с. 401-404. - ISBN 5-94836-060-1 : 150.00 р. Гриф: рек. УМО по классич. унив. образованию в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров, магистров 010700 "Физика" и спец. 010701 "Физика"
Рубрики: Электроника--Твердотельная электроника Кл.слова (ненормированные): электроника -- полупроводниковые приборы -- твердотельная электроника -- барьер Шоттки -- гетеропереходы -- пространственные заряды -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- транзистор -- тиристоры -- диоды -- диоды Ганна -- фотоприемники -- эффект Холла Аннотация: Рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Электроника [Текст] : сб. науч. тр. / Всесоюз. ин-т науч. и техн. информ. (Москва); гл. ред. П. В. Нестеров. - М. : ВИНИТИ, 1966 - . - (Итоги науки и техники). Т. 26 : Сверхпроводниковые электронные устройства и высокотемпературные сверхпроводники / науч. ред. В. А. Марасанов. - 1990. - 174 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Рубрики: Электроника--Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): ИНТЕРФЕРОМЕТРЫ -- ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ -- КРИОГЕННЫЕ ПРИЕМНИКИ -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- ЭФФЕКТ ДЖОЗЕФСОНА -- ЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА -- ИМПУЛЬСНЫЕ УСТРОЙСТВА Аннотация: Рассмотрены сверхпроводниковые электронные устройства и высокотемпературные сверхпроводники. Рассказано об сверхпроводящих квантовых интерферометрах, высокотемпературных сверхпроводниках и приборах на их основе, тенденции создания криогенных приемников миллиметровых волн. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Марасанов, В. А. Нестеров, П. В. \\гл. ред.\\ |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Стриха, В. И. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология, применение) [Текст] : научное издание / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева, И. А. Радзиевский. - М. : Советское радио, 1974. - 248 с. : черт. ; 25 см. - Библиогр.: с. 230-244 (93 назв.). - 1.50 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- ДИОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА Аннотация: Рассматриваются физические основы работы диодов с барьером Шоттки. Особое внимание обращается на роль диэлектрического зазора и поверхностных состояний в контакте металл - полупроводник. Описываются технологические методы получения диодов с заданными параметрами. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Бузанева, Е. В. Радзиевский, И. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Викулин, И. М. Полупроводниковые датчики [Текст] : научно-популярная литература / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. - М. : Сов. радио, 1975. - 104 с. : ил., рис. ; 20 см. - (Массовая б-ка инженера. Электроника). - 0.29 р.
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): ФИЗИЧЕСКИЕ ЗНАНИЯ -- ДАТЧИКИ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- БАРЬЕР ШОТТКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТИРИСТОРЫ -- ХОЛЛА Аннотация: Рассмотрены физические явления в полупроводниках, используемые при создании чувствительных датчиков температуры, магнитного поля, механических напряжений и интенсивности света, а также свойства применяемых для этих целей диодов с p-n переходами, с барьером Шоттки, биполярных и полевых транзисторов, S-диодов, многослойных структур и однопереходных транзисторов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Стафеев, В. И. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Полякова, А. Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / А. Л. Полякова. - М. : Энергия, 1979. - 168 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 160-165 (109 назв.). - 0.50 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Электроника--Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): БАРЬЕР ШОТТКИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ДИОДЫ -- МЕХАНИЧЕСКИЕ ВЕЛИЧИНЫ -- НЕОДНОРОДНАЯ ДЕФОРМАЦИЯ Аннотация: В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций, как однородных, так и неоднородных. Рассмотрено влияние этих деформаций на электрические характеристики полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, туннельных диодов, диодов с барьером Шоттки и др. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |