Новые поступления (книга в стадии обработки) Маллер, Р. Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.
Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы Кл.слова (ненормированные): электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Кейминс, Т. Мазель, Е. З. Ходош, Л. С. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Генераторы прямого преобразования тепловой и химической энергии в электрическую [Текст] / Всесоюз. ин-т науч. и техн. информ. (Москва). - М. : ВИНИТИ, 1974 - 1989. Т. 9 : Солнечные элементы и батареи / науч. ред. М. М. Колтун. - М., 1989. - 144 с. : ил. ; 21 см. - (Итоги науки и техники). - Библиогр.: с.118-142. - Б. ц.
Рубрики: Электротехника--Химические источники тока Кл.слова (ненормированные): ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- КАСКАДНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СИСТЕМЫ -- МЕТРОЛОГИЯ ЭЛЕМЕНТОВ -- СОЛНЕЧНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО Аннотация: Описываются важнейшие достижения быстроразвивающейся техники фотоэлектрического преобразования солнечной энергии за последние десятилетие; приводятся результаты лабораторных исследований, направленных на повышение КПД и радиационной стойкости, а также на снижение стоимости солнечных элементов; рассматриваются конструирование и применение наземных фотоэлектрических энергоустановок, а также проблемы эксплуатации, достижения и перспективы космических электрогенераторов на основе солнечных батарей. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Колтун, М. М. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Технология ионного легирования [Текст] : научное издание / под ред. С. Намбы, П. В. Павлова ; пер. с яп. В. Ф. Овчарова. - М. : Советское радио, 1974. - 158 с. : ил. ; 16 см. - Библиогр.: с. 140-156 (244 назв.). - 0.51 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ Аннотация: Рассматриваются методы получения кремниевых полупроводниковых приборов с помощью ионного легирования, а также ионное легирование сложных полупроводниковых материалов. Подробно излагаются методы измерения электрических характеристик полупроводниковых приборов, полученных ионным легированием. Книга написана в простой и доступной форме. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Намба, С. Павлов, П. В. Овчаров, В. Ф. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Мазель, Е. З. Планарная технология кремниевых приборов [Текст] : научное издание / Е. З. Мазель, Ф. П. Пресс. - М. : Энергия, 1974. - 384 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 368-382. - 1.27 р.
Рубрики: Электроника--Электронные приборы Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ДИОДЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ПЛАНАРНЫЕ ПРИБОРЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- ЭПИТАКСИЯ Аннотация: Рассматриваются процессы, лежащие в основе планарной технологии изготовления кремниевых приборов - диодов, транзисторов и интегральных схем. Подробно излагаются вопросы, связанные с важнейшими операциями планарного технологического процесса: подготовкой кремниевых пластин, созданием маскирующих и пассивирующих слоев на их поверхности, диффузией, фотолитографией и эпитаксией. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Пресс, Ф. П. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением [Текст] : сб. пер. статей / под ред. С. А. Гаряинова. - М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1962. - 240 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.16 р.
Кл.слова (ненормированные): ТРАНЗИСТОРНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ТИРАТРОНЫ -- ДИОДЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ Аннотация: В сборнике "Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением" приводятся переводы статей, посвященных вопросам теории, технологии изготовления и конструирования полупроводниковых приборов, на статической или динамической вольт-амперной характеристике которых имеется участок с отрицательным сопротивлением. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Гаряинов, С. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Файнштейн, С. М. Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / С. М. Файнштейн. - 3-е изд., перераб. - М. : Энергия, 1970. - 296 с. : ил., граф., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 286-295 (300 назв.). - 0.97 р.
Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНИКА -- ЗАЩИТА ПОВЕРХНОСТИ -- ГЕРМАНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ Аннотация: В книге рассмотрены физические параметры поверхности полупроводников и методы их определения. Большое внимание уделено обработке поверхности и происходящим при этом процессам, влиянию обработки поверхности в пазовой фазе на свойства полупроводниковых приборов и методам защиты поверхности, связанным с созданием стабильных характеристик германиевых и кремниевых приборов - одной из наиболее актуальных проблем современной полупроводниковой техники. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Маллер, Р. Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ. Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - Москва : Мир, 1989. - 630 с. : ил. - 3.20 р. Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): ИС -- МОП-транзисторы -- биополярные транзисторы -- интегральные схемы -- кремниевые приборы -- полупроводники -- рп-переход Аннотация: В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Держатели документа: Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова) Доп. точки доступа: Кейминс, Т. Мазель, Е. З. Ходоша, Л. С. |