Новые поступления (книга в стадии обработки) Мильвидский, Михаил Григорьевич. Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М. Г. Мильвидский. - Москва : Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - 143, [1] с. : ил. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр.: с. 144 (9 назв.). - ISBN [Б. и.] : 30.00 р.
Рубрики: радиотехника.электроника--электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- полупроводники -- электроника -- дефектообразование -- монокристаллы -- эпитаксиальные структуры -- аморфные полупроводники -- поликристаллические полупроводники Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Пунин, Юрий Олегович. Автодеформационные дефекты кристаллов [Текст] : научное издание / Ю. О. Пунин, А. Г. Штукенберг ; С.-Петерб. гос. ун-т. - Санкт-Петербург : Изд-во С.-Петерб. ун-та, 2008. - 316, [4] с. : рис. - Библиогр.: с. 293-317 (575 назв.). - ISBN 978-5-288-04759-6 (в пер.) : 340.00 р.
Рубрики: химия--кристаллография Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- рост кристаллов -- автодеформации -- дефектообразование Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Штукенберг, Александр Григорьевич |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Рябцев, Станислав Викторович. Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук : 01.04.10 / С. В. Рябцев ; науч. консультант Э. П. Домашевская ; Воронеж. гос. ун-т. - Воронеж : [б. и.], 2011. - 32 с. : ил. - Библиогр.: с. 29-32 (35 назв.). - ISBN [Б. и.]
Рубрики: физика--физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): широкозонные полупроводники -- оксиды олова -- наноформы -- электрофизические свойства -- оптические свойства -- дефектообразование -- стехиометрия Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Домашевская, Эвелина Павловна |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Мамонтов, Аркадий Павлович. Эффект малых доз ионизирующего излучения [Текст] : научное издание / А. П. Мамонтов, И. П. Чернов ; Том. политехн. ун-т. - 2-е изд., перераб. и доп. - Томск : Дельтаплан, 2009. - 286 с. : ил. - Библиогр.: с. 270-282 (228 назв.). - ISBN 978-5-94154-153-9 (в пер.) : 250.00 р.
Рубрики: физика--электричество Кл.слова (ненормированные): ионизирующие излучения -- эффект малых доз -- радиационная физика -- твердые тела -- кристаллы -- полупроводниковые материалы -- упорядоченные структуры -- диффузия -- радиационно-стимулированные миграции -- дефектообразование Держатели документа: Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского Доп. точки доступа: Чернов, Иван Петрович |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Радиационно-стимулированные явления в твердых телах [Текст] : межвуз. сб. науч. тр. / В. С. Кортов. - Свердловск : УПИ, 1983 - . Вып.5. - 1983. - 144 с. ; 22см. - 1.60 р.
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): физика -- физика твердого тела -- радиационная физика -- радиация -- кристаллы -- экзоэлектронная эмиссия -- электроны -- заряженные частицы -- твердые тела -- люминесценция -- облучение -- стимулированная эмиссия -- оптические материалы -- метод каналирования -- экзоэмиссия -- дефектообразование -- радиационные повреждения Аннотация: Опубликованы результаты изучения радиационно-стимулированных явлений, протекающих в приповерхностных слоях и объеме облученных твердых тел. Представлены работы по исследованию природы и закономерностей стимулированной эмиссии электронов и люминесценции облученных твердых тел, рассматриваются радиационно-физические свойства оптических материалов. Исследуется взаимодействие быстрых заряженных частиц с твердым телом, публикуются результаты использования метода каналирования для изучения процессов радиационного повреждения кристаллов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Кортов, В.С. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Мильвидский, М. Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М.Г.Мильвидский. - М. : Наука, 1986. - 144 с. : ил. ; 20см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - 0.50 р.
Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы Электроника--Материалы электронной техники Кл.слова (ненормированные): электротехника -- полупроводниковые материалы -- совершенные монокристаллы -- дефектообразование -- выращивание монокристаллов -- полупроводники -- кремний -- арсенид галлия -- фосфид индия -- эпитаксиальные структуры -- гомоэпитаксиальные структуры -- поликристаллические полупроводники -- аморфные полупроводники Аннотация: Анализируются новые тенденции в создании и применении полупроводников.Рассмотрены закономерности дефектообразования, особенности текстуированных полупроводников и т.п. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Ибрагимов, Ш. Ш. Радиационные повреждения металлов и сплавов [Текст] : научное издание / Ш. Ш. Ибрагимов, В. В. Кирсанов, Ю. С. Пятилетов. - М. : Энергоатомиздат, 1985. - 240 с. ; 22 см. - 3.00 р.
Рубрики: Металлургия--Металловедение Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- облучаемые материалы -- эффекты облучения -- моделирование -- послерадиационный отжиг -- радиационное упрочнение -- радиационное охрупчивание -- радиационное распухание -- вакансионное распухание -- ползучесть -- сегрегация элементов -- стабильность Аннотация: Изложены современные представления о радиационных повреждениях, происходящих в облучаемых металлах и сплавах. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Кирсанов, В. В. Пятилетов, Ю. С. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Роль дефектов кристаллической решетки в процессах структурообразования сплавов [Текст] : сб. науч. тр. / Тульский политехн. ин-т ; отв. ред. С. А. Головин. - Тула : ТПИ, 1989. - 176 с. ; 20 см. - 0.80 р.
Рубрики: Металлургия--Физика металлов Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- дефектообразование -- палладий -- старение -- стареющая сталь -- деформация -- ультразвуковая дефектоскопия -- кристаллическая решетка -- структурообразование сплавов Аннотация: Рассматриваются исследования в области теоретического описания процессов дислокационно-примесного взаимодействия в металлах и сплавах,образования дефектов кристаллической решетки, служащие основой для создания теории высокопрочного состояния. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Головин, С. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Электроника и ее применение [Текст] : сборник / Всесоюз. ин-т науч. и техн. информ. (Москва); гл. ред. А. И. Михайлов. - М. : ВИНИТИ, 1966 - . - (Итоги науки и техники). Т. 11 / ред. Н. А. Соболева. - 1979. - 210 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
Рубрики: Электроника--Электронные приборы Кл.слова (ненормированные): СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ -- ФОТОЭМИТТЕРЫ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ -- МИКРОКАНАЛЬНЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ Аннотация: Рассмотрены вопросы развития технологии полупроводниковых материалов, стехиометрии и дефектообразования. Даны спектральные характеристики фотоэмиттеров. Представлен обзор по полупроводниковым приборам , их деградация и нестехиометрия. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Соболева, Н. А. Михайлов, А. И. \\гл. ред.\\ |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Болтакс, Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках [Текст] : научное издание / Б. И. Болтакс ; Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе (Ленинград). - Л. : Изд-во "Наука", 1972. - 384 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.99 р.
Рубрики: Физика--Полупроводники Кл.слова (ненормированные): ДИФФУЗИИ -- ДЕФЕКТЫ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ Аннотация: Излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Обобщен и систематизирован имеющийся в настоящее время экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Химия твердого тела [Текст] : межвуз. сборник / Урал. Ордена Труд. Красного Знамени политехн. ин-т им. С. М. Кирова (Свердловск). - Свердловск : УПИ, 1978. Вып. 2 / отв. ред. Ю. В. Егоров. - 1978. - 176 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.50 р.
Рубрики: Химия--Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): ОКСИДЫ -- ТВЕРДОЕ ТЕЛО -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА -- КРИСТАЛЛЫ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ -- ДИФФУЗИЯ Аннотация: Представлены результаты исследования физико-химических свойств широкого класса неорганических материалов, имеющих важное практическое значение. Исследуются процессы дефектообразования, диффузионные явления в твердом теле, влияние облучения на свойства кристаллов, оптические, магнитные и электрические явления в щелочно-галоидных кристаллах, простых и сложных оксидах и в других соединениях. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Егоров, Ю. В. |