Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Мильвидский, М. Г.
    Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М.Г.Мильвидский. - М. : Наука, 1986. - 144 с. : ил. ; 20см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - 0.50 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

   Электроника--Материалы электронной техники


Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводниковые материалы -- совершенные монокристаллы -- дефектообразование -- выращивание монокристаллов -- полупроводники -- кремний -- арсенид галлия -- фосфид индия -- эпитаксиальные структуры -- гомоэпитаксиальные структуры -- поликристаллические полупроводники -- аморфные полупроводники
Аннотация: Анализируются новые тенденции в создании и применении полупроводников.Рассмотрены закономерности дефектообразования, особенности текстуированных полупроводников и т.п.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Маллер, Р.
    Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходош, Л. С.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Плешивцев, Н. В.
    Пучки электронов в промышленности [Текст] : научное издание / Н. В. Плешивцев. - М. : Знание, 1969. - 48 с. : ил., рис., табл. ; 21 см. - (Новое в жизни, науке и технике. Сер. "Промышленность" ; № 10). - Библиогр.: с. 46 (13 назв.). - 0.09 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ОТКРЫТИЕ ЭЛЕКТРОНА -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПУЧКИ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПУШКИ -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВАЯ СВАРКА -- ХИМИЧЕСКИЙ МИКРОАНАЛИЗ -- РАДИАЦИОННАЯ ХИМИЯ
Аннотация: Дается описание электронных пушек, предназначенных для плавления сварки, зонной очистки, испарения и размерной микрообработки различных материалов, а также основных физических процессов, которые происходят при взаимодействии электронов с твердыми телами. Отмечаются технологические особенности и преимущества мощных пучков электронов как нового орудия промышленного производства. Указываются перспективы применения электронных пучков в радиационной химии.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Родес, Р. Г.
    Несовершенства и активные центры в полупроводниках [Текст] / Р. Г. Родес ; под ред. С. С. Горелика ; пер. с англ.: М. А. Бетуганова, А. А. Галаева, Ю. М. Литвинова = Imperfections and active centres in semiconductors / R. G. Rhodes : переводное издание. - М. : Изд-во "Металлургия", 1968. - 371 с. : ил., граф., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 353-367 (564 назв.). - 1.52 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ПЛАСТИЧЕСКИЕ ДЕФОРМАЦИИ -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ -- ТРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Горелик, С. С.
Бетуганов, М. А.
Галаев, А. А.
Литвинов, Ю. М.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
   
    Металлургия и технология полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие / под ред. Б. А. Сахарова. - М. : Металлургия, 1972. - 544 с. : ил., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 541. - 1.21 р.
Гриф: допущено М-вом высшего и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по спец. "Технология специальных материалов электронной техники"
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ -- ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- ТЕНЗОМЕТРЫ -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ОБРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ТЕХНОЛОГИЯ ГЕРМАНИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ КРЕМНИЯ
Аннотация: Рассматриваются свойства полупроводниковых материалов, а также физико-химические особенности процессов в высокочистом, прецизионно легированном и монокристаллическом виде. Систематизированно описана технология германия, кремния и основных полупроводниковых соединений. Рассмотрены также специальные виды обработки и вопросы контроля качества полупроводниковых материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Сахаров, Б. А.