Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Мильвидский, Михаил Григорьевич.
    Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М. Г. Мильвидский. - Москва : Наука, Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986. - 143, [1] с. : ил. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр.: с. 144 (9 назв.). - ISBN [Б. и.] : 30.00 р.
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- полупроводники -- электроника -- дефектообразование -- монокристаллы -- эпитаксиальные структуры -- аморфные полупроводники -- поликристаллические полупроводники
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Мильвидский, М. Г.
    Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М.Г.Мильвидский. - М. : Наука, 1986. - 144 с. : ил. ; 20см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - 0.50 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

   Электроника--Материалы электронной техники


Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводниковые материалы -- совершенные монокристаллы -- дефектообразование -- выращивание монокристаллов -- полупроводники -- кремний -- арсенид галлия -- фосфид индия -- эпитаксиальные структуры -- гомоэпитаксиальные структуры -- поликристаллические полупроводники -- аморфные полупроводники
Аннотация: Анализируются новые тенденции в создании и применении полупроводников.Рассмотрены закономерности дефектообразования, особенности текстуированных полупроводников и т.п.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Мильвидский, М. Г.
    Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений [Текст] : на примере арсенида галлия / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров. - М. : Металлургия, 1974. - 392 с. : ил. ; 22 см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр.: с. 382-389 (257 назв.). - 1.67 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 621.315

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
СИСТЕМА ГАЛЛИЙ-МЫШЬЯК -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- ДИАГРАММЫ СИСТЕМ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ -- ВЫДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ
Аннотация: На примере арсенида галлия рассмотрены природа и свойства различных состояний соединений и связи с особенностями фазовых диаграмм, межфазовые взаимодействия в системе соединение-примесь, получение монокристаллов и пленок разлагающихся соединений различными методами из жидкой и газовой фаз.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Пелевин, О. В.
Сахаров, Б. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Электроника и ее применение [Текст] : сборник. - М. : ВИНИТИ, 1975.
   Т. 6 / Н. А. Соболева [и др.]. - 1975. - 191 с. : черт. ; 22 см. - (Итоги науки и техники). - Библиогр.: с. 189-191 (41 назв.). - 1.36 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОКАТОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ФОТОКАТОДЫ
Аннотация: Том посвящен свойствам и технологии получения полупроводниковых материалов, анализу современного состояния разработки полупроводниковых фотокатодов, а также некоторым новым классам полупроводниковых приборов с переносом заряда и пьезополупроводниковым акустоэлектронным преобразователями.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Соболева, Н. А.
Шашков, Ю. М.
Мильвидский, М. Г.
Скориков, В. А.

Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Бублик, В. Т.
    Методы исследования материалов и структур электроники [Электронный ресурс] : рентгеновская дифракционная микроскопия : курс лекций / В. Т. Бублик, А. М. Мильвидский. - Электрон. текстовые дан. - М. : МИСИС, 2006. - on-line. - Систем. требования: 128 MB RAM оперативной памяти. - 178.20 р.
Режим доступа : http://lib.sstu.ru/index.php/elmrazdel/melellib/3321-elreselibonline. Количество одновременных доступов 15
ГРНТИ
УДК
ББК 30.3 + 32.85

Рубрики: Испытания материалов--Рентгенография

   Электроника--Материалы электронной техники


Кл.слова (ненормированные):
ДИФРАКЦИОННАЯ ТЕОРИЯ -- ДИНАМИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ -- ФОРМИРОВАНИЕ ИЗОБРАЖЕНИЙ -- ДЕФЕКТЫ -- ДИФРАКЦИЯ -- СХЕМЫ ДИФРАКЦИИ -- ФОРМИРОВАНИЕ КОНТРАСТА -- СХЕМА ОТРАЖЕНИЯ -- БРЭГГ -- ЛАУЭ -- ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ -- СТРУКТУРА ЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация: В книге изложены основы динамической теории, геометрические аспекты формирования изображений и основные положения дифракционной теории формирования контраста на дефектах в разных схемах дифракции : схема отражения по Брэггу и Лауэ. Приведен качественный анализ характера контраста на дефектах различного типа. Для более полного усвоения материала приводится большой объем иллюстраций. Необходимо особо отметить, что подобного курса лекций, отвечающего современному уровню и объему данного раздела, в том числе читаемых для указанных специальностей в настоящее время не имеется.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Мильвидский, А. М.