| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :4
 В других БД по вашему запросу найдено:ЭБС "IPRBOOKS" (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Медведев, С. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

   
    Физика и химия соединений АII ВVI [Текст] : монография / пер. с англ. под ред. С. А. Медведева. - М. : Изд-во "Мир", 1970. - 624 с. : ил., граф., табл. ; 27 см. - Библиогр.: с. 616-618 (108 назв.). - 5.46 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- ТЕРМОДИНАМИКА -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ -- ДИФФУЗИЯ -- РАСТВОРИМОСТЬ -- ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС -- ЭКСИТОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ
Аннотация: Монография известных специалистов в области физики и химии полупроводников посвящена полупроводниковым соединениям типа АII ВVI, широко применяемым в полупроводниковой и квантовой электронике (солнечные батареи и счетчики ядерных частиц из CdS, приемники инфракрасных излучений из PbS и т. д.). В книге отражено современное состояние научных исследований физических и химических свойств халькогенидов цинка, кадмия и ртути, а также содержатся данные по технологии получения полупроводниковых соединений АII ВVI, в частности по технологии изготовления монокристаллов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Медведев, С. А.
Найти похожие

2.

    Медведев, С. А.
    Введение в технологию полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие / С. А. Медведев. - М. : Изд-во "Высшая школа", 1970. - 504 с. : ил., граф., табл., черт. ; 22 см. - Библиогр. в конце разд. - 1.16 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики"
УДК

Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ВЕЩЕСТВА -- ОБРАБОТКА КРИСТАЛЛОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

3.

    Мосс, Т.
    Полупроводниковая оптоэлектроника [Текст] / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис ; пер. с англ.: А. А. Гриппиуса, А. Н. Ковалева ; под ред. С. А. Медведева = Semiconductor opto-electronics / T. S. Moss , G. J. Burrell , B. Ellis : научное издание. - М. : Изд-во "Мир", 1976. - 431 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 402-420 (832 назв.). - 2.01 р.
Загл. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ОПТИЧЕСКИЕ КОНСТАНТЫ ТЕЛА -- ТЕОРИЯ ДИСПЕРСИИ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- МАГНИТООПТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ -- ЭМИССИЯ ИЗЛУЧЕНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
Аннотация: В книге рассмотрены взаимодействие света с полупроводниками, физические принципы работы приборов оптоэлектроники и методики расчета их характеристик, материалы, используемые в оптоэлектронике.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Баррел, Г. urrell G. J.
Эллис, Б. Ellis B.
Гриппиус, А. А.
Ковалев, А. Н.
Медведев, С. А.
Найти похожие

4.

    Матаре, Г.
    Электроника дефектов в полупроводниках [Текст] / Г. Матаре ; пер. с англ. Г. М. Гуро ; под ред. С. А. Медведева = Defect Electronics in Semiconductors / H. Matare : монография. - М. : Мир, 1974. - 464 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - 2.19 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Физические основы электроники

   Физика--Полупроводники


Кл.слова (ненормированные):
КЛАССИФИКАЦИЯ ДЕФЕКТОВ -- ДИСЛОКАЦИОННЫЕ ПЛОСКОСТИ -- ДИСЛОКАЦИОННЫЕ ГРАНИЦЫ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИМЕНЕНИЯ -- ВЫРАЩИВАНИЕ БИКРИСТАЛЛОВ -- КРАЕВАЯ ДИСЛОКАЦИЯ
Аннотация: Книга посвящена влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов ( дислокации, границ зерен и т. д.) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Гуро, Г. М.
Медведев, С. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)