| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Румак, Н. В.$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

    Румак, Н. В.
    Диэлектрические пленки в твердотельной микроэлектронике [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. Е. Борисенко. - Минск : Навука i тэхнiка, 1990. - 191 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5-343-00540-3 : 1.40 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрические пленки -- кинетические модели -- структурные модели -- окисление кремниевых пластин -- диэлектрики
Аннотация: Описываются термические,плазменные,пиролитические,фотохимические и другие способы формирования слоев диоксида и нитрида кремния,стекол с легирующими добавками.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Борисенко, В. Е.
Найти похожие

2.

    Румак, Н. В.
    Компоненты МОП-интегральных микросхем [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. А. П. Достанко. - Минск : Навука i тэхнiка, 1991. - 311 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5343008240 : 2.30 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
кремниевые пластины -- затворы -- контакты -- межсоединения -- изоляция межслойная -- изоляция межкомпонентная
Аннотация: Изложены данные о влиянии условий получения на структуру и свойства основных компонентов МОП-интегральных микросхем: кремниевых подложек, подзатворных диэлектриков, пленок затвора, межслойной и межкомпонентной изоляции, контактов и межсоединений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Достанко, А. П.
Найти похожие

3.

    Румак, Н. В.
    Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. М. Колешко ; Физико-технич. ин-т (Минск) . - Минск : Наука и техника, 1986. - 240 с. : ил. ; 21см. - Библиогр.: с. 219. - 1.80 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--МОП-структуры

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- МДП-структуры -- полупроводниковые приборы -- пороговое напряжение -- окисные пленки -- многослойные структуры -- окисление кремния -- кремниевые пластины -- экзоэлектронная эмиссия -- пленки
Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Колешко, В. М.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)