| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Нашельский, А. Я.$<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

    Нашельский, А. Я.
    Технология полупроводниковых материалов [Текст] : учебное пособие для повышения квалификации ИТР / А. Я. Нашельский. - М. : Металлургия, 1987. - 336 с. : ил. ; 21см. - 0.65 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- материалы полупроводникового производства -- поликристаллические полупроводники -- объемные монокристаллы полупроводников -- технология подложек -- технология эпитаксиальных структур
Аннотация: Систематизированно изложены современные технологии важнейших полупроводниковых материалов,выращивание однородно легированных монокристаллов с совершенной структурой,получение высокочистых поликристалических полупроводников,эпитаксильных слоев,гомо- и гетероструктур методами газовой и жидкостной эпитаксии, изготовление пластин и подложек.Учебное пособие предназначено для повышения квалификации и переподготовки мастеров,начальников участков и цехов полупроводникового производства.Может быть полезна студентам вузов,обучающимся по специальностям:"Технология специальных материалов электронной техники","Полупроводники и диэлектрики","Полупроводниковые приборы".
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

2.

    Нашельский, А. Я.
    Монокристаллы полупроводников [Текст] : научное издание / А. Я. Нашельский. - М. : Металлургия, 1978. - 200 с. : ил. ; 21 см. - 0.40 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
МОНОКРИСТАЛЛЫ -- СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ДЕФЕКТЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Аннотация: Сообщаются краткие сведения о физике полупроводников, строении и дефектах кристаллов, их росте, кристаллизации и кристаллизационных процессах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

3.

    Нашельский, А. Я.
    Технология полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие / А. Я. Нашельский. - М. : Изд-во "Металлургия", 1972. - 432 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 427-429. - 1.15 р.
Гриф: допущено Упр. кадров и учеб. заведений М-ва цветной металлургии СССР в качестве учеб. пособия для техникумов цветной металлургии
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ РАСПЛАВОВ -- РЕАГЕНТЫ -- ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ
Аннотация: Приведены основные положения физики полупроводников и полупроводниковых приборов, кристаллизационных процессов и дефектов структуры в полупроводниках. Даны сведения о чистом веществе и методах обращения с чистыми веществами и полупроводниковыми материалами.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

4.

   
    Новые полупроводниковые материалы [Текст] : физико-химические и технологические вопросы получения полупроводниковых соединений группы А3 В5 ; сб. науч. трудов / под ред. А. Я. Нашельского. - М. : Металлургиздат, 1964. - 272 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.77 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПРИМЕСИ ЗАГРЯЗНЕНИЯ -- ИСТОЧНИКИ ЗАГРЯЗНЕНИЯ -- РОСТ КРИСТАЛЛОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Сборник содержит переводы статей о физико-химических исследованиях, поведении примесей и источниках загрязнения, о росте кристаллов, аппаратуре и технологии прямых и косвенных методов получения основных полупроводниковых соединений группы А3 В5.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Нашельский, А. Я.
Найти похожие

5.

   
    Технология полупроводниковых соединений [Текст] : вопросы физической химии и технологии получения полупроводниковых соединений А3 В5 : сб. пер. статей / под ред. А. Я. Нашельского. - М. : Изд-во "Металлургия", 1967. - 262 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр.: с. 261-262 (29 назв.). - 1.36 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ -- ИСТОЧНИКИ ЗАГРЯЗНЕНИЙ -- РАСТВОРИМОСТЬ ЦИНКА -- РОСТ КРИСТАЛЛОВ -- ПРЯМЫЕ МЕТОДЫ
Аннотация: В сборнике опубликованы статьи о физико-химических исследованиях, поведении примесей и источниках загрязнений, росте пленок и кристаллов из паровой фазы, а также о подготовке кристаллов для дальнейших исследований и о структурных исследованиях полупроводниковых соединений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Нашельский, А. Я.
Найти похожие

6.

    Нашельский, А. Я.
    Производство полупроводниковых материалов [Текст] : учебное пособие / А. Я. Нашельский. - 2-е изд., перераб. и доп. - Москва : Металлургия, 1989. - 272 с. - Библиогр.: с. 270. - 1.30 р.
ББК 31.233я72

Рубрики: Энергетика--Электротехнические материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковые материалы -- учебные пособия -- электротехника
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)