| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мазель, Е. З.$<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

    Маллер, Р.
    Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходош, Л. С.
Найти похожие

2.

   
    Мощные высокочастотные транзисторы [Текст] / Ю. В. Завражнов [и др.]. - М. : Радио и связь, 1985. - 176 с. : ил. ; 20см. - Библиогр.: с. 173. - 0.50 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852.3

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- транзисторы -- высокочастотные транзисторы -- мощные транзисторы -- параметры транзисторов -- надежность транзисторов -- применение транзисторов
Аннотация: Рассматриваются особенности работы мощных высокочастотных транзисторов в линейном режиме. Излагаются вопросы конструирования, технологии транзисторов и методы измерения их параметров.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Завражнов, Ю. В.
Каганова, И. И.
Мазель, Е. З.
Миркин, А. И.
Найти похожие

3.

    Ферри, Д.
    Электроника ультрабольших интегральных схем [Текст] / Д. Ферри, Л. Эйкерс, Э. Гринич ; пер. с англ. Е. З. Мазеля. - М. : Мир, 1991. - 327 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-03-002018-7 : 5.70 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- ультрабольшие интегральные схемы -- УБИС -- микропроцессор -- МОП-транзистор -- горячие носители -- биполярные транзисторы -- логические схемы -- соединения -- сотовые автоматы -- логические элементы -- сверхрешетки
Аннотация: Изложены проблемы разработки микросхем с очень высокой степенью интеграции-ультрабольших интегральных схем (УБИС).
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Эйкерс, Л.
Гринич, Э.
Мазель, Е. З.
Найти похожие

4.

    Мазель, Е. З.
    Мощные транзисторы [Текст] : научное издание / Е. З. Мазель. - М. : Энергия, 1969. - 280 с. : ил. ; 20 см. - (Б-ка по радиоэлектронике ; вып. 22). - Библиогр.: с. 266-279. - 0.90 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРЫ -- МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ИЗГОТОВЛЕНИЕ ТРАНЗИСТОРОВ -- ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- СПЛАВНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

5.

    Мазель, Е. З.
    Планарная технология кремниевых приборов [Текст] : научное издание / Е. З. Мазель, Ф. П. Пресс. - М. : Энергия, 1974. - 384 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 368-382. - 1.27 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ДИОДЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ПЛАНАРНЫЕ ПРИБОРЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- ЭПИТАКСИЯ
Аннотация: Рассматриваются процессы, лежащие в основе планарной технологии изготовления кремниевых приборов - диодов, транзисторов и интегральных схем. Подробно излагаются вопросы, связанные с важнейшими операциями планарного технологического процесса: подготовкой кремниевых пластин, созданием маскирующих и пассивирующих слоев на их поверхности, диффузией, фотолитографией и эпитаксией.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Пресс, Ф. П.
Найти похожие

6.

   
    Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды, технология производства [Текст] : научное издание / Г. А. Зеликман [и др.]. - М. ; Л. : Изд-во "Энергия", 1964. - 184 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 176-184. - 0.50 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ТРИОДЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Аннотация: В книге рассмотрены способы создания электронно-дырочных переходов и контактов в кремневых диодах и транзисторах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Зеликман, Г. А.
Мазель, Е. З.
Пресс, Ф. П.
Фронк, С. В.
Найти похожие

7.

    Маллер, Р.
    Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ. Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - Москва : Мир, 1989. - 630 с. : ил. - 3.20 р.
ББК 32.844.1

Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника

Кл.слова (ненормированные):
ИС -- МОП-транзисторы -- биополярные транзисторы -- интегральные схемы -- кремниевые приборы -- полупроводники -- рп-переход
Аннотация: В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходоша, Л. С.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)