| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Кутыркин, Ю. М.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Кутыркин, Ю. М.
    Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения [Текст] : справочник / Ю. М. Кутыркин, А. В. Нефедов, А. М. Савченко ; под ред. А. А. Чернышева. - М. : Энергоатомиздат, 1984. - 145 с. : ил. ; 20 см. - 0.55 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.844.1

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- аналоговые микросхемы -- цифровые микросхемы -- электронная аппаратура -- микропроцессоры -- преобразователи -- аналого-цифровые преобразователи -- цифро-аналоговые преобразования
Аннотация: В справочнике приведены условные обозначения и электрические параметры широко распространенных зарубежных аналоговых и цифровых микросхем. Рассчитан на инженеров и техников, а также на широкий круг читателей, занимающихся эксплуатацией и ремонтом зарубежной электронной аппаратуры.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Нефедов, А. В.
Савченко, А. М.
Чернышев, А. А.
Найти похожие

2.

   
    Бескорпусные полупроводниковые приборы [Текст] : научное издание / А. А. Чернышев [и др.]. - М. : Энергия, 1973. - 152 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 146-150. - 0.42 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ДИОДЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ТЕПЛОВЫЕ РЕЖИМЫ -- ГИБРИДНЫЕ МИКРОСХЕМЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
Аннотация: Описываются конструкции, параметры и характеристики бескорпусных полупроводниковых приборов, а также гибридных интегральных микросхем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Чернышев, А. А.
Аксенов, А. И.
Иванов, В. И.
Кутыркин, Ю. М.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)