| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Болтакс, Б. И.$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

    Болтакс, Б. И.
    Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках [Текст] : научное издание / Б. И. Болтакс ; Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе (Ленинград). - Л. : Изд-во "Наука", 1972. - 384 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.99 р.
ГРНТИ
29.19.31
УДК
537.311.322

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИИ -- ДЕФЕКТЫ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Обобщен и систематизирован имеющийся в настоящее время экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.



Найти похожие
2.

    Маделунг, О.
    Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 4 групп [Текст] / О. Маделунг ; пер. с англ. под ред. Б. И. Болтакса = Physics of 3-5 Compounds / O. Madelung : научное издание. - М. : Мир, 1967. - 477 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 414-461. - Предм. указ.: с. 462-466. - 2.14 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
29.19.31
УДК
537.311.33+621.315.592

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ТЕОРИЯ ВОЗМУЩЕНИЙ -- ЗОНА ПРОВОДИМОСТИ -- ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА -- СВОЙСТВА ПРИМЕСЕЙ -- ТРОЙНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ
Аннотация: Книга посвящена обстоятельному описанию нового класса полупроводниковых материалов. В книге систематически описаны результаты основных исследований важнейших свойств этих соединений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Болтакс, Б. И.
Найти похожие
3.

    Болтакс, Б. И.
    Диффузия в полупроводниках [Текст] : научное издание / Б. И. Болтакс. - М. : Гос. изд-во физико-мат. лит., 1961. - 462 с. : ил., табл. ; 21 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр. в конце глав. - 1.28 р.
ГРНТИ
29.19.31
УДК
537.3

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
СКОРОСТИ РЕАКЦИЙ -- РЕАЛЬНЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ДИФФУЗИЯ -- КУЛОНОВСКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ -- САМОДИФФУЗИЯ
Аннотация: В книге излагаются основные физические представления о механизме самодиффузии и диффузии примесей в полупроводниках, а также дается обзор имеющихся экспериментальных данных.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)