| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Бобров, И. И.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

   Бобров, И. И.

    Физические основы микроэлектроники [Текст] : в 2 ч. : курс лекций / И. И. Бобров, Г. В. Кропачев ; Пермский гос. техн. ун-т. - Пермь : ПГТУ, 1995 - .
   Ч. 1. - 1995. - 81 с. ; 20см. - ISBN 5881510461 : 4000.00 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- микроэлектроника
Аннотация: Изложены физические основы проводимости полупроводников, ее количественные соотношения. Рассмотрены принцип действия, параметры, характеристики выпрямительных, импульсных, туннельных и обращенных диодов Шоттки. Уделено внимание тепловому расчету полупроводниковых приборов. Предназначен для спец. "Автоматизация технологических процессов", "Электронная вычислительная техника".
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Кропачев, Г. В.
Найти похожие

2.

    Бобров, И. И.
    Расчет дискретных и микроэлектронных усилителей [Текст] : учеб. пособие / И. И. Бобров ; Пермский гос. техн. ун-т. - Пермь : ПГТУ, 1998. - 169 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5881511670 : 18.00 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Радиотехника--Усилители

   Электроника--Микроэлектроника


Кл.слова (ненормированные):
дискретные усилители -- микроэлектронные усилители
Аннотация: Рассмотрен порядок расчета распространенных усилителей мощности, предварительных усилителей на транзисторах и микросхемах. Приведены примеры расчета всех каскадов усилителя как на транзисторах, так и на микросхемах. Уделено внимание расчету частотной характеристики усилителя без применения общей отрицательной обратной связи и с применением ООС.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.



Найти похожие

3.

    Бобров, И. И.
    Микроэлектронные элементы в автоматизированных электроприводах [Текст] : учеб. пособие / И. И. Бобров. - Пермь : ППИ, 1984. - 92 с. : ил. ; 20см. - 0.15 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электропривод

Кл.слова (ненормированные):
цифровые интегральные схемы -- триггерные устройства ЦИС -- линейные интегральные схемы -- логические элементы -- двоичный сигнал
Аннотация: В автоматизированных электроприводах широко применяется тиристорные преобразователи со сложными схемами управления,в которых используются электронные и микроэлектронные элементы.В пособии рассматриваются аналоговые и цифровые микроэлектронные элементы,широко применяемые в схемах управления тиристорными преобразователями.Приводятся сведения по схемотехнике базовых микроэлектронных элементов и по применению их в практических схемах.Пособие предназначено для студентов специальности"Автоматизированный электропривод и автоматизация промышленных установок".
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

4.

    Бобров, И. И.
    Физические основы электроники [Текст] : учеб. пособие / И. И. Бобров ; Пермский гос. техн. ун-т. - 2-е изд., перераб. и доп. - Пермь : Перм. гос. техн. ун-т, 2005. - 190 с. ; 21 см. - Библиогр.: с. 186. - 36.00 р.
Гриф : утв. РИС ун-та в качестве учеб. пособия
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводники -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- диоды -- электронно-дырочные переходы -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- тиристоры -- оптоэлектроника -- фотодиоды
Аннотация: Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.



Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)