| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Чистяков, Ю. Д.$<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

    Мьюрарка, Ш.
    Силициды для СБИС [Текст] / Ш. Мьюрарка; пер. с англ. В. В. Баранова; под ред. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986. - 176 с. : ил. ; 21см. - 1.80 р.
Пред.указ.с.:171
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379

Рубрики: Электроника--Интегральные схемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
алюминиды -- бориды -- вжигание паст -- диэлектрическая прочность окисла -- карбиды -- мелкозалегающие контакты -- металлизация -- окисление кремния -- окислы -- переход контакта -- сопротивление -- цирконий -- химическая активность -- интегральные схемы -- СБИС
Аннотация: Рассмотрены и обобщены результаты исследований электрических,термодинамических и механических свойств силицидов-соединений кремния с переходными металлами.Описываются методы использования силицидов в технологии сверхбольших интегральных схем,приведены конкретные примеры использования силицидной технологии при создании полупроводниковых электронных приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Баранов, В. В.
Чистяков, Ю. Д.
Найти похожие

2.

    Технология СБИС [Текст] : в 2 кн. / под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986.Кн. 1. - 1986. - 404 с. : ил. ; 23см. - Библиогр.: с. 400-402. - 3.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- СБИС -- кремниевые ИС -- монокристаллы кремния -- эпитаксиальные слои -- осаждение пленок -- термическое окисление -- окисление -- диффузия -- ионная имплантация -- геттерирование -- литография
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Зи, С. \\ред.\\
Чистяков, Ю. Д. \\пер.\\
Найти похожие

3.

    Чистяков, Ю. Д.
    Физико-химические основы технологии микроэлектроники [Текст] : учеб. пособие для вузов / Ю. Д. Чистяков, Ю. П. Райнова. - М. : Металлургия, 1979. - 408 с. : ил. ; 20см. - 1.10 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
эпитаксия -- автоэпитаксия -- полирование -- легирование -- процессы разрушения (физ. хим.) -- травление -- сварка -- спайка
Аннотация: Пособие предназначено для студентов вузов, изучающих технологию микроэлектроники, а также конструирование и технологию радиотехнических микроэлектронных устройств. Изложены физико- химические основы процессов эпитаксии и получения тонких пленок, сварки и пайки, механической обработки, очистки поверхности материалов, а также легирования, модифицирования и фотолитографии.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Райнова, Ю. П.
Найти похожие

4.

    Технология СБИС [Текст] : в 2 кн. / под ред. С. Зи [и др.] ; пер. с англ. В. Н. Лейкина. - М. : Мир, 1986.
   Кн. 2. - 1986. - 453 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 437-438. - 2.30 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
ИОННО-ПЛАЗМЕННАЯ ОБРАБОТКА -- МЕТАЛЛИЗАЦИЯ -- БИПОЛЯРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- СУХОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ГЕРМЕТИЗАЦИЯ -- ТРАВЛЕНИЕ
Аннотация: В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС, методы исследования и контроля технологических процессов, герметизация готовых ИС, тестирование и надежность готовых ИС.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Зи, С. \\ред.\\
Лейкин, В. Н. \\пер.\\
Чистяков, Ю. Д. \\ред.\\
Петров, В. Б. \\ред.\\
Эйдельман, Б. Л. \\ред.\\
Найти похожие

5.

   
    Аморфные и поликристаллические полупроводники [Текст] / В. Хейванг, У. Биркхольц, Р. Айнцингер и др; под ред. В. Хейванга; пер. с нем. М. В. Акуленок; под ред. Ю. Д. Чистякова. - Москва : Мир, 1987. - 160 с. : ил. - 1.60 р.
ББК 22.379

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
аморфные полупроводники -- варисторы -- поликристаллические полупроводники -- термисторы -- термоэлектрические элементы
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Хейванг, В.
Биркхольц, У.
Айнцингер, Р.
Акуленок, М. В.
Чистяков, Ю. Д.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)