Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Саморуков, Б. Е.$<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Саморуков, Б. Е.
Нестехиометрия полупроводниковых соединений [Текст] : учеб. пособие / Б. Е. Саморуков. - Л. : ЛПИ, 1984. - 82 с. : ил. ; 20см. - 0.20 р.

ГРНТИ	47.09.29.01.33
УДК	621.315.592:5412.22(075.8)

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- нестехиометрия -- полупроводниковые соединения
Аннотация: Излагается важная часть курса "Физические и химические свойства полупроводников", посвященная нестехиометрии реальных полупроводниковых соединений. Рассмотрены вопросы нестехиометрии соединений, проблемы легирования их одной или двумя примесями, а также амфотерной примесью. Для студентов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Саморуков, Б. Е.
Дефекты полупроводников [Текст] : учеб. пособие / Б. Е. Саморуков ; Ленинградский ордена Ленина политехн. ин-т им. М. И. Калинина. - Л. : ЛПИ, 1977. - 72 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 71 (26 назв.). - 0.25 р.

ГРНТИ	29.19.31.01.33
УДК	537.311.33:548.4(075)

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ -- ТЕПЛОВЫЕ КОЛЕБАНИЯ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ
Аннотация: Пособие посвящено дефектам полупроводников. Рассмотрены тепловые, электронные и точечные дефекты кристаллов. особое внимание уделено примесям и основам легирования полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)