Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Мартюшов, К. И.$<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Мартюшов, К. И.
Прецизионные непроволочные резисторы [Текст] : научное издание / К. И. Мартюшов, А. И. Тихонов, Ю. В. Зайцев. - М. : Энергия, 1979. - 192 с. : ил. ; 20 см. - 0.55 р.

ГРНТИ	45.31
УДК	621.316.8

Рубрики: Электротехника--Резисторы

Кл.слова (ненормированные):
КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ -- КОНСТРУИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ -- ПРЕЦИЗИОННЫЕ РЕЗИСТОРЫ -- НЕПРОВОЛОЧНЫЕ ПОТЕНЦИОМЕТРЫ -- БЕСКОНТАКТНЫЕ ПОТЕНЦИОМЕТРЫ
Аннотация: Даны принципы расчета, конструкция и технологии прецизионных непроволочных резисторов. Рассмотрены принципы оптимального конструирования прецизионных резисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Тихонов, А. И.
Зайцев, Ю. В.
Найти похожие

Мартюшов, К. И.
Нелинейные полупроводниковые резисторы [Текст] : научное издание / К. И. Мартюшов, Ю. В. Зайцев. - М. ; Л. : Энергия, 1968. - 192 с. : ил., граф., табл., черт. ; 21 см. - Библиогр.: с. 182-190 (190 назв.). - 0.74 р.

УДК

621.316.825+621.382.002

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ -- ФОТОРЕЗИСТОРЫ -- ВАРИСТОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕЗИСТОРЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зайцев, Ю. В.
Найти похожие

Мартюшов, К. И.
Методы расчета резисторов [Текст] : научное издание / К. И. Мартюшов, Ю. В. Зайцев, А. И. Тихонов. - М. : Энергия, 1971. - 207 с. : граф., рис., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 202-207 . - 0.56 р.

ГРНТИ	45.31
УДК	621.316.8.001.2

Рубрики: Электротехника--Резисторы

Кл.слова (ненормированные):
ТОКОПРОВОДЯЩИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПАРАМЕТРЫ РЕЗИСТОРОВ -- РАСЧЕТНЫЕ ФОРМУЛЫ -- КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ -- РАБОЧЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ -- ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ -- КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
Аннотация: Рассмотрены основные принципы расчета параметров постоянных и переменных резисторов, даны расчетные формулы, позволяющие при ряде исходных данных рассчитать параметры резисторов. Кратко рассмотрены физические свойства токопроводящих материалов, широко используемых в конструкциях постоянных и переменных резисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зайцев, Ю. В.
Тихонов, А. И.
Найти похожие

Мартюшов, К. И.
Технология производства резисторов [Текст] : учеб. пособие / К. И. Мартюшов, Ю. В. Зайцев. - М. : Изд-во "Высшая школа", 1972. - 312 с. : ил., граф., табл., черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 309-311 (75 назв.). - 0.91 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обуч. по спец. "Полупроводники и диэлектрики"

ГРНТИ	45.31.01.33
УДК	621.316.8(075)

Рубрики: Электротехника--Резисторы

Кл.слова (ненормированные):
ПРОИЗВОДСТВО РЕЗИСТОРОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ -- ВАРИСТОРЫ -- ТИПЫ РЕЗИСТОРОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОРЕЗИСТОРЫ
Аннотация: В книге излагаются основы технологии производства различных типов резисторов: постоянных и переменных, чувствительных к температуре, электромагнитному излучению, к напряжению; рассматриваются свойства и характеристики материалов; приведены параметры основных типов резисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зайцев, Ю. В.
Найти похожие

Интегральные схемы. Основы проектирования и технологии [Текст] : научное издание / Г. Р. Мэдленд [и др.] ; пер. с англ., под ред. К. И. Мартюшова. - М. : Советское радио, 1970. - 592 с. : ил. ; 20 см. - 2.25 р.

ГРНТИ	47.03.05
УДК	621.382.8

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ДОПУСКИ
Аннотация: В книге подробно излагается технология изготовления интегральных схем, включая обработку исходных материалов, сборку, герметизацию и испытание готовых схем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Мэдленд, Г. Р.
Дикен, Г. К.
Ричардсон, Р. Д.
Притчард, Р. Л.
Боуер, Ф. Г.
Крет, Д. Б.
Мартюшов, К. И.
Мартюшов, К. И.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)