Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Колешко, В. М.$<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Колешко, В. М.
Массоперенос в тонких пленках [Текст] / В. М. Колешко. - Минск : Наука и техника, 1980. - 296 с. : ил. ; 21см. - Библиогр.: (527 назв.). - 1.10 р.

ГРНТИ	29.19
УДК	539.216:621.382.049.77

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
физика -- свойства молекулярных систем -- структура молекулярных систем -- пленки -- тонкие пленки -- массоперенос -- тонкопленочные элементы -- межсоединения -- резисторы -- тонкопленочные контакты -- золото -- алюминий -- хром -- молибден -- диффузия -- электродиффузия -- стимулированный массоперенос -- тонкопленочные проводники
Аннотация: Обобщен и систематизирован материал по стимулированному массопереносу в тонкопленочных проводниках полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Вскрывается сущность физических процессов, лежащих в основе этого явления.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Румак, Н. В.
Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. М. Колешко ; Физико-технич. ин-т (Минск) . - Минск : Наука и техника, 1986. - 240 с. : ил. ; 21см. - Библиогр.: с. 219. - 1.80 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.002

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--МОП-структуры

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- МДП-структуры -- полупроводниковые приборы -- пороговое напряжение -- окисные пленки -- многослойные структуры -- окисление кремния -- кремниевые пластины -- экзоэлектронная эмиссия -- пленки
Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Колешко, В. М.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)