Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :6

В других БД по вашему запросу найдено:

ЭБС "IPRBOOKS" (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=537.311<.>)

Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6

Барыбин, А. А.
Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами [Текст] / А. А. Барыбин. - М. : Наука, 1986. - 288 с. : ил. ; 22см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - 3.30 р.
Библиогр.280 назв.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311

ББК 22.379

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
физика -- электричество -- волны -- горячие электроны -- электромагнитные волны -- дрейфовые потоки -- невырожденная плазма -- граничные условия -- полупроводниковые структуры -- флуктуационная устойчивость -- электрическая устойчивость -- тонкопленочные структуры -- продольный дрейф -- поперечный дрейф -- замагниченные структуры
Аннотация: С единых позиций исследованы дисперсионные свойства и структура разных типов волн в полупроводниковых пленках с отрицательной дифференциальной проводимостью.Особое внимание уделено ключевой проблеме граничных условий на поверхности дрейфовых потоков носителей заряда.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Бехштедт, Ф.
Поверхности и границы раздела полупроводников [Текст] : научное издание / Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн ; пер. с англ. И. П. Звягин. - М. : Мир, 1990. - 488 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 463-475. - ISBN 5-03-001469-1 : 5.20 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ТРЕХМЕРНЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- СТРУКТУРА ПОВЕРХНОСТИ -- ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ -- ТРАНСЛЯЦИОННАЯ СИММЕТРИЯ -- ОДНОМЕРНЫЙ КРИСТАЛЛ -- ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА -- ГЕОМЕТРИЯ ПОВЕРХНОСТЕЙ
Аннотация: Книга авторов из ГДР посвящена состоянию знаний в области физики чистых поверхностей и границ раздела. Подробно рассмотрены атомная и электронная структура поверхности, энергетическая зависимость локальной плотности состояний, вопросы образования химических связей, адсорбции и хемосорбции, дан анализ теоретических моделей и экспериментальных данных для конкретных поверхностей и границ раздела.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Эндерлайн, Р.
Звягин, И. П.
Найти похожие

Смоленский, Г. А.
Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики [Текст] : научное издание / Г. А. Смоленский, Н. Н. Крайник. - М. : Наука, 1968. - 184 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 181-183. - 0.32 р.
Прил.: с. 176-180

ГРНТИ	29.19
УДК	537.311

Рубрики: Физика--Электричество

Кл.слова (ненормированные):
СПОНТАННАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ -- ПЕРЕСКАКИВАЮЩИЕ ИОНЫ -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ПРОНИЦАЕМОСТЬ -- СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ КОНДЕНСАТОРЫ
Аннотация: В книге излагаются представления о физике сегнетоэлектрических явлений, приводятся основные результаты исследований и рассказывается о сегнетоэлектрических материалах, применяющихся в различных областях техники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Крайник, Н. Н.
Найти похожие

Физика полупроводников и полупроводниковая электроника [Текст] : сб. статей. - Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 1968.
Вып. 1 / под ред. З. И. Кирьяшкиной. - 1968. - 186 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.15 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ -- СВЧ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- ФОТОПРОВОДЯЩИЕ ПЛЕНКИ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Аннотация: Сборник содержит теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению физических процессов в полупроводниковых СВЧ-диодах, полупроводниковых пленках, методам измерения параметров полупроводников и полупроводниковых пленок, в том числе и на основе использования явления плазменного резонанса, эффектам обогащения полупроводника носителями заряда и влиянию этих эффектов на поглощение СВЧ-мощности, а также изучению свойств некоторых сложных полупроводниковых соединений и, в частности, полупроводниковых бронз.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Кирьяшкина, З. И.
Найти похожие

Физика полупроводников и полупроводниковая электроника [Текст] : сб. статей. - Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 1968.
Вып. 2 / под ред. З. И. Кирьяшкиной, Л. И. Баранова. - 1968. - 110 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 0.67 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ИНТЕГРАЛЬНОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ -- СВЧ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ФОТОРЕЗИСТОРЫ
Аннотация: Работы посвящены изучению физических процессов в полупроводниковых СВЧ диодах, полупроводниковых пленках, методам измерения параметров полупроводников и полупроводниковых пленок, эффектам обогащения и объединения полупроводника носителями заряда и практического использования этих эффектов, а также изучению свойств некоторых сложных полупроводниковых соединений и, в частности, полупроводниковых бронз.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Кирьяшкина, З. И.
Баранов, Л. И.
Найти похожие

Шкловский, Б. И.
Электронные свойства легированных полупроводников [Текст] : монография / Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос. - М. : Наука, 1979. - 416 с. : ил., табл. ; 21 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 396-413 (358 назв.). - 2.40 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ПЕРЕХОД МОТТА -- ПЕРЕХОД АНДЕРСОНА -- МОДЕЛИ ЛИФШИЦА -- ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ -- ТЕОРИЯ ПРОТЕКАНИЯ -- ЗАКОН МОТТА
Аннотация: В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Эфрос, А. Л.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)