| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.382.2(075)<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Яковенко, В. А.
    Расчет режимов полупроводниковых диодов в умножителях частоты [Текст] : учеб. пособие для вузов / В. А. Яковенко, Е. И. Машарский ; Новосибирский электротехн. ин-т. - Новосибирск : НЭТИ, 1980. - 98 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 97-98 (19 назв.). - 0.16 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые диоды -- умножители частоты -- варакторы -- диоды
Аннотация: Рассмотрены режимы работы полупроводникового диода в параллельном и последовательном умножителях частоты. Особое внимание уделено построению инженерных методик расчета оптимальных режимов варакторов и диодов с накоплением заряда. Расчетные методики основаны на приближении идеальной фильтрации согласующих целей. Приведены примеры расчета. Для студентов вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Машарский, Е. И.
Найти похожие

2.

    Евсеев, Ю. А.
    Силовые полупроводниковые приборы [Текст] : учеб. пособие для вузов / Ю. А. Евсеев, П. Г. Дерменжи. - М. : Энергоиздат, 1981. - 472 с. : ил. ; 20см. - 0.95 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
приборы -- полупроводниковые приборы -- транзистор -- тиристоры -- симисторы -- расчеты -- диоды
Аннотация: В учебнике изложены основы работы силовых полупроводниковых приборов-диодов, транзисторов и тиристоров. Описаны конструкции полупроводниковых структур силовых приборов, позволяющие резко повысить их статические и динамические параметры, а также конструкции корпусов и охладителей.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Дерменжи, П. Г.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)