| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.382.019.3<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

    Бардин, В. М.
    Надежность силовых полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / В. М. Бардин. - М. : Энергия, 1978. - 96 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 91. - 0.30 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ТИРИСТОРЫ -- ТОКОВЫЕ ПЕРЕГРУЗКИ -- ТЕПЛОВОЕ ЦИКЛИРОВАНИЕ -- ДИОДЫ
Аннотация: Рассмотрена надежность силовых полупроводниковых приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

2.

    Пряников, В. С.
    Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / В. С. Пряников. - М. : Энергия, 1978. - 112 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 105-110. - 0.30 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ -- НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ -- ДОЛГОВЕЧНОСТЬ ТРАНЗИСТОРОВ -- ОТКАЗЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Аннотация: Рассмотрены физические процессы, обусловливающие низкочастотный шум и отказы полупроводниковых приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

3.

    Горюнов, Н. Н.
    Свойства полупроводниковых приборов при длительной работе и хранении [Текст] : научное издание / Н. Н. Горюнов. - М. : Энергия, 1970. - 103 с. : ил., граф., табл. ; 20 см. - (Б-ка по радиоэлектронике ; вып. 23). - Библиогр.: с. 100-102. - 0.31 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ПРОЕКТИРОВАНИЕ АППАРАТУРЫ -- ДИОДЫ -- КРИСТАЛЛЫ -- КОРОТКИЕ ЗАМЫКАНИЯ
Аннотация: Рассказывается о свойствах полупроводниковых диодов и транзисторов при их длительной работе и хранении. Описаны основные причины отказов приборов, связанные с явлениями на поверхности кристаллов, пробоем переходов, разрушением контактов. Приведены математические модели процессов отказов. Излагаются технические требования к качеству и надежности приборов, методы их проверки и обработки результатов испытаний. Даны сведения об ускоренных испытаниях и неразрушающем контроле качества.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)