| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.002<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

   
    Легирование полупроводников методом ядерных реакций [Текст] : научное издание / Акад. наук СССР (Новосибирск) ; ред. Л. С. Смирнов. - Новосибирск : Наука, 1981. - 182 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 175 . - 1.90 р.
ГРНТИ
45.09.31
УДК
621.315.592.002

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ЛЕГИРОВАНИЕ -- РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ЯДЕРНЫЕ РЕАКЦИИ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Аннотация: Рассмотрены физические основы легирования полупроводников, побочные явления - радиационные дефекты, кинетика их накопления и отжига.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Смирнов, Л. С.
Найти похожие
2.

   
    Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок [Текст] : научное издание / Под. ред. Ф. А. Кузнецова. - Новосибирск : Наука, 1981. - 280 с. : ил. ; 22 см. - 3.10 р.
ГРНТИ
45.09.31
УДК
621.315.592.002

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ -- ЭПИТАКСИЯ -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ
Аннотация: Рассмотрены механизмы эпитаксиального роста слоев из растворов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Кузнецов, Ф. А.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)