| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592:002.3:620.17<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

    Вальковская, М. И.
    Пластичность и хрупкость полупроводниковых материалов при испытаниях на микротвердость [Текст] / М.И.Вальковская,Б.М.Пушкаш,Э.Е.Марончук. - Кишинев : Штиинца, 1984. - 108 с. : ил. ; 21см. - 1.20 р.
ГРНТИ
45.09
УДК
621.315.592:002.3:620.17

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводниковые материалы -- пластичность -- хрупкость -- микротвердость -- кремний -- германий -- кристаллические структуры -- деформирование кристаллов -- анизотропия -- склерометрическая микротвердость
Аннотация: В монографии обобщен материал по изучению пластичности и хрупкости ряда полупроводниковых кристаллов при действии сосредоточенной нагрузки.Приведены новые результаты исследования и объяснения наблюдаемой анизотропии микротвердости.Показано,что метод микротвердости может быть использован для выявления включений в эпитаксиальных структурах,полученных на основе арсенида галлия. Рассмотрены некоторые вопросы по влиянию легирования и термообработки на микротвердость и распределение дислокаций в исследуемых полупроводниковых сигналлов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Пушкаш, Б. М.
Марончук, Э. Е.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)