| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :16
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592<.>)
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 16
1.

    Костишко, Борис Михайлович.
    Карбонизированный пористый кремний [Текст] : научное издание / Б. М. Костишко ; М-во образования Рос. Федерации, Ульян. гос. ун-т . - Ульяновск : Ульян. гос. ун-т [изд.], 2003. - 125, [3] с. - Библиогр.: с. 107-124 (196 назв.). - ISBN 5-88866-143-0 : 79.00 р.
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- кремний -- карбонизированный пористый кремний -- квантово-размерные структуры -- фотолюминесценция -- гетеропереходы
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского



Найти похожие

2.

    Акципетров, Олег Андреевич.
    Нелинейная оптика кремния и кремниевых наноструктур [Текст] : научное издание / О. А. Акципетров, И. М. Баранова, К. Н. Евтюхов. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2012. - 543, [1] с. : ил., табл. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9221-1402-8 (в пер.) : 565.0 р.
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

   физика--оптика


Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- кремний -- кремниевые наноструктуры -- нелинейная оптика -- генерация второй гармоники -- межфазные границы -- спектроскопия -- анизотропия
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского


Доп. точки доступа:
Баранова, Ирина Михайловна
Евтюхов, Константин Николаевич
Найти похожие

3.

    Агаларзаде, П. С.
    Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-n-перехода [Текст] / П.С.Агаларзаде,А.И.Петрин,С.О.Изидинов;Под ред.В.Е.Челнокова. - М. : Советское радио, 1978. - 224 с. : ил. ; 20см. - 0.85 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
кремниевые р-n-переходы -- очистка поверхности -- пассивация окислением -- стабилизация -- пространственный заряд -- полупроводниковые приборы
Аннотация: Даны физические принципы конструирования и физико-химические основы обработки поверхности высоковольтных р-n-переходов.Приведена технология химического травления,очистки,пассивации и защиты поверхности р-n-переходов реальных полупроводниковых приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Петрин, А. И.
Изидинов, С. О.
Найти похожие

4.

   
    Полупроводники на основе титаната бария [Текст] : научное издание / пер. с яп. И. Б. Реута; под ред. В. М. Петрова. - М. : Энергоиздат, 1982. - 328 с. : ил. ; 20см. - 1.30 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводники -- титанат бария -- эффект Холла -- пьезорезистивный эффект -- запирающий слой -- позисторы -- варисторы -- электронная грелка -- сегнетокерамика
Аннотация: Изложены физические свойства, технология изготовления и области применения полупроводниковой сегнетокерамики на основе титаната бария.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Петров, В. М.
Найти похожие

5.

   
    Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники [Текст] : научное издание / отв. ред. С. И. Радауцан. - Кишинев : Штиинца, 1982. - 246 с. : ил. ; 21см. - 2.40 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- анизотропия -- пластическая деформация -- термоэдс -- электропроводность -- магнитосопротивление -- барьеры Шоттки -- явление переноса -- коэффициент Ричардсона
Аннотация: Рассмотрено получение монокристаллов и создание гомогенных и гетерогенных пленочных структур.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Радауцан, С. И.
Найти похожие

6.

    Валеев, Х. С.
    Нелинейные металлооксидные полупроводники [Текст] : научное издание / Х. С. Валеев, В. Б. Квасков. - М. : Энергоиздат, 1983. - 160 с. : ил. ; 20 см. - 0.50 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ТЕХНОЛОГИЯ ВАРИСТОРОВ -- МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ ВАРИСТОРЫ
Аннотация: Рассмотрена полупроводниковая техника - нелинейные оксидные керамические полупроводники, которые используются для изготовления резисторов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (варисторов).
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Квасков, В. Б.
Найти похожие

7.

    Нашельский, А. Я.
    Монокристаллы полупроводников [Текст] : научное издание / А. Я. Нашельский. - М. : Металлургия, 1978. - 200 с. : ил. ; 21 см. - 0.40 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
МОНОКРИСТАЛЛЫ -- СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ДЕФЕКТЫ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ -- КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Аннотация: Сообщаются краткие сведения о физике полупроводников, строении и дефектах кристаллов, их росте, кристаллизации и кристаллизационных процессах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

8.

    Папков, В. С.
    Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе [Текст] : научное издание / В. С. Папков, М. Б. Цыбульников ; под ред. А. Ю Малинина. - М. : Энергия, 1979. - 88 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 85 . - 0.25 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОДЛОЖКИ -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ВЫРАЩИВАНИЕ САПФИРА -- ВЫРАЩИВАНИЕ ШПИНЕЛИ -- ЭПИТАКСИЯ КРЕМНИЯ -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ -- ДИОДНЫЕ МАТРИЦЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ИЗОЛИРУЮЩИЕ ПОДЛОЖКИ
Аннотация: Рассматривается получение гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире и шпинели и формирование на их основе интегральные схем. Изложены методы выращивания кристаллов сапфира и алюмомагниевой шпинели, а также подготовка диэлектрических подложек к гетероэпитаксии.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Цыбульников, М. Б.
Малинин, А. Ю
Найти похожие

9.

   
    Теоретические и экспериментальные исследования сложных полупроводниковых соединений [Текст] : научное издание. - Кишинев : Штиинца, 1978. - 168 с. : ил. ; 20 см. - 1.50 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
КИНЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- КРИСТАЛЛЫ -- ДЕФЕКТЫ В КРИСТАЛЛАХ -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- АНИЗОТРОПИЯ -- РЕШЕТЧАТЫЕ КОЛЕБАНИЯ -- ЭЛЕКТРОАКУСТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ -- ГАЛЬВАНОМАГНИТОРЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Аннотация: Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований сложных полупроводниковых материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

10.

   
    Новые материалы электронной техники [Текст] : межвуз. сб. науч. тр. / Воронежский политехн. ин-т ; науч. ред. И. В. Золотухин. - Воронеж : ВПИ, 1983. - 124 с. : ил., табл. ; 26 см. - 0.60 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Материалы электронной техники

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ТЕРМИЧЕСКАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ -- ДИЭЛЕКТРИКА -- АМОРФНОЕ СОСТОЯНИЕ -- МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ СПЛАВЫ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ МОДИФИКАЦИЯ
Аннотация: В сборнике изложены результаты исследований новых материалов электронной техники. Основное внимание уделяется аморфному состоянию металлических сплавов и кремния, обладающих рядом полезных свойств, которые у них отсутствуют в кристаллической модификации.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Золотухин, И. В.
Найти похожие

11.

   
    Технология получения и электрические свойства соединений А{\up 3} В{\up 2} [материалы Всесоюз. конф.] / Ленинградский политехн. ин-т ; отв. ред. Ю. И. Уханов. - Л. : ЛПИ, 1981. - 195 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.80 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА -- ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ФОСФИДЫ ГАЛЛИЯ -- ПРИМЕСИ ЖЕЛЕЗА -- ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИСТОЧНИКИ -- ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- МАТЕРИАЛЫ КОНФЕРЕНЦИЙ
Аннотация: Публикуются результаты исследований физических свойств полупроводниковых соединений. Рассмотрены вопросы, касающиеся технологии и применения соединений, явления переноса в них, а именно проводимость в неупорядоченных системах и горячие электроны. Даны обзоры по основным направлениям исследования, получения и применения соединений в полупроводниках.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Уханов, Ю. И.
Найти похожие

12.

    Абрикосов, Н. Х.
    Полупроводниковые материалы на основе соединений А4В6 [Текст] : монография / Н. Х. Абрикосов, Л. Е. Шелимова ; Ин-т металлургии им. А. А. Байкова (Москва). - М. : Изд-во "Наука", 1975. - 195 с. : граф., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 184-193 (399 назв.). - 0.27 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В СИСТЕМАХ -- ДИАГРАММЫ Р-Т-Х -- КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА СОЕДИНЕНИЯ -- ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ -- СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ -- ПОЛУЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ -- ХАЛЬКОГЕНИДЫ -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СТРУКТУРЫ
Аннотация: В монографии обобщены литературные данные и результаты исследований авторов по халькогенидам кремния, германия, олова и свинца. Рассмотрены фазовые равновесия в двойных системах и приведены диаграммы Р-Т-Х (давление-температура-состав). Значительное внимание уделено описанию кристаллической структуры соединений в фазовых переходах при определенных температуре и давлении.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Шелимова, Л. Е.
Найти похожие

13.

    Полупроводниковая электроника [Текст] : межвуз. сб. - Л. : ЛГУ, 1974.
   Вып. 1 / ред. В. В. Пасынков. - 1974. - 181 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.89 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ГАЛЬВАНО-МАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ -- ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСОВ -- ФОТОПРОВОДИМОСТЬ -- ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Аннотация: В сборнике рассматриваются вопросы физики и техники полупроводников: гальвано-магнитные эффекты, явления переносов, фотопроводимости, электро- и фотолюминесценции в новых полупроводниковых материалах таких, как фосфид галлия, карбид кремния.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Пасынков, В. В.
Найти похожие

14.

   
    Металлургия в электронике [Текст] : сб. статей / пер. с англ., под ред.: Н. Г. Рябцева, Ф. А. Кузнецова. - М. : Изд-во "Металлургия", 1970. - 272 с. : ил., граф., табл., черт. ; 22 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.84 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ТВЕРДЫЕ ВЕЩЕСТВА -- ТЕРМОДИНАМИКА ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ -- РОСТ КРИСТАЛЛОВ -- ГАЗОВЫЕ ФАЗЫ -- МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЛОИ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Рябцев, Н. Г.
Кузнецов, Ф. А.
Найти похожие

15.

    Панкратьев, Е. М.
    Технология полупроводниковых слоев двуокиси олова [Текст] : брошюра / Е. М. Панкратьев, В. П. Рюмин, Н. П. Щелкина. - М. : Энергия, 1969. - 56 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 54-55 (33 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЛОИ -- ДВУОКИСЬ ОЛОВА -- ГИДРОЛИЗ ХЛОРНЫХ СОЛЕЙ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИЕ СЛОИ
Аннотация: В брошюре дано кратное описание методов получения электропроводящих слоев двуокиси олова, в том числе и одного из наиболее распространенных - метода гидролиза хлорных солей олова.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Рюмин, В. П.
Щелкина, Н. П.
Найти похожие

16.

   
    Физика и химия соединений АII ВVI [Текст] : монография / пер. с англ. под ред. С. А. Медведева. - М. : Изд-во "Мир", 1970. - 624 с. : ил., граф., табл. ; 27 см. - Библиогр.: с. 616-618 (108 назв.). - 5.46 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- ТЕРМОДИНАМИКА -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- КРИСТАЛЛОГРАФИЯ -- ДИФФУЗИЯ -- РАСТВОРИМОСТЬ -- ПАРАМАГНИТНЫЙ РЕЗОНАНС -- ЭКСИТОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ
Аннотация: Монография известных специалистов в области физики и химии полупроводников посвящена полупроводниковым соединениям типа АII ВVI, широко применяемым в полупроводниковой и квантовой электронике (солнечные батареи и счетчики ядерных частиц из CdS, приемники инфракрасных излучений из PbS и т. д.). В книге отражено современное состояние научных исследований физических и химических свойств халькогенидов цинка, кадмия и ртути, а также содержатся данные по технологии получения полупроводниковых соединений АII ВVI, в частности по технологии изготовления монокристаллов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Медведев, С. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)