| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.33(076)<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

   
    Сборник задач по физике полупроводников [Текст] / В. Л. Бонч-Бруевич [и др.]. - М. : Изд-во "Наука", 1968. - 112 с. : ил. ; 20 см. - 0.18 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. физ. спец. высш. учеб. заведений
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ -- ТОРМОЭДС -- ФОТОЭДС -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- РЕКОМБИНАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ
Аннотация: В книге приведены задачи по основным вопросам физики полупроводников (диффузия и дрейф носителей тока, фото- и термоэлектрические явления и т. д.).
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Бонч-Бруевич, В. Л.
Звягин, И. П.
Карпенко, И. В.
Миронов, А. Г.
Найти похожие

2.

   Юнович, А. Э.

    Спецпрактикум по физике полупроводников [Текст] : учеб. пособие / А. Э. Юнович, В. В. Остробородова. - М. : Изд-во Моск. ун-та, 1976.
   Ч. 2 / под ред. В. С. Вавилова. - 1976. - 106 с. : ил. ; 21 см. - 0.21 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ -- ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация: Пособие посвящено изучению основных явлений в р-n-переходах (нелинейной зависимости тока от напряжения, выпрямления и усиления сигналов, туннельного эффекта, люминесценции). В работах рассматриваются характеристики полупроводниковых приборов, основанных на этих явления (обычных и туннельных диодов, светодиодов, транзисторов).
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Вавилов, В. С.
Остробородова, В. В.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)