| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.33(07)<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Дехтяр, Ю. Д.
    Экзоэлектронная спектроскопия точечных дефектов полупроводников. Конспект лекций [Текст] : курс лекций / Ю. Д. Дехтяр ; Риж. техн. ун-т. - Рига : РТУ, 1993. - 59 с. ; 20 см. - Библиогр.: с. 48-59 (101 назв.) . - 28.00 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ЭКЗОЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ДИАГНОСТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ЭФФЕКТ СТЕБЛЕРА-ВРОНСКОГО -- СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ЭКЗОЭМИССИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ -- ЭКЗОЭМИССИЯ КРЕМНИЯ
Аннотация: Рассмотрено новое направление диагностики поверхностных слоев полупроводников, основанное на регистрации фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ФТСЭ). Проанализированы механизмы этого явления для материалов с энергетической целью. Описаны эффект оптического гашения ФТСЭ: экзоэмиссионное проявление в axSi:H эффекта Стеблера-Вронского (фотоиндуцированные структурные превращения). Проиллюстрированы возможности экзоэмиссионной спектроскопии точечных дефектов полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.



Найти похожие

2.

    Милицын, К. Н.
    Учебное пособие по курсу "Технология металлов и других конструкционных материалов". Основы получения полупроводниковых материалов - германия и кремния. Получение материалов высокой чистоты с заданными физическими, в частности, электрическими свойствами [Текст] : учебное пособие / К. Н. Милицын ; Всесоюз. заоч. энерг. ин-т (Москва). - М. : ВЗЭИ, 1966. - 42 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 42. - 0.09 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ТЕХНОЛОГИЯ МЕТАЛЛОВ -- КОНСТРУКЦИОННЫЕ МЕТАЛЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МАТЕРИАЛЫ ВЫСОКОЙ ЧИСТОТЫ -- ГЕРМАНИЙ -- КРЕМНИЙ
Аннотация: О широком применении в электро- и радиотехнике (электронике) различных конструкционных материалов - основные прочностные конструкционные материалы, проводниковые материалы и изделия, магнитные материалы (ферромагнетики), диэлектрики, полупроводниковые материалы и изделия.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.



Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)