Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=кремниевые пластины<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Румак, Н. В.
Компоненты МОП-интегральных микросхем [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. А. П. Достанко. - Минск : Навука i тэхнiка, 1991. - 311 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5343008240 : 2.30 р.

ГРНТИ	47.13.11
УДК	621.382.049.774

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
кремниевые пластины -- затворы -- контакты -- межсоединения -- изоляция межслойная -- изоляция межкомпонентная
Аннотация: Изложены данные о влиянии условий получения на структуру и свойства основных компонентов МОП-интегральных микросхем: кремниевых подложек, подзатворных диэлектриков, пленок затвора, межслойной и межкомпонентной изоляции, контактов и межсоединений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Достанко, А. П.
Найти похожие

Румак, Н. В.
Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. М. Колешко ; Физико-технич. ин-т (Минск) . - Минск : Наука и техника, 1986. - 240 с. : ил. ; 21см. - Библиогр.: с. 219. - 1.80 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.002

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--МОП-структуры

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- МДП-структуры -- полупроводниковые приборы -- пороговое напряжение -- окисные пленки -- многослойные структуры -- окисление кремния -- кремниевые пластины -- экзоэлектронная эмиссия -- пленки
Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Колешко, В. М.
Найти похожие

Интегральные схемы. Основы проектирования и технологии [Текст] : научное издание / Г. Р. Мэдленд [и др.] ; пер. с англ., под ред. К. И. Мартюшова. - М. : Советское радио, 1970. - 592 с. : ил. ; 20 см. - 2.25 р.

ГРНТИ	47.03.05
УДК	621.382.8

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ДОПУСКИ
Аннотация: В книге подробно излагается технология изготовления интегральных схем, включая обработку исходных материалов, сборку, герметизацию и испытание готовых схем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Мэдленд, Г. Р.
Дикен, Г. К.
Ричардсон, Р. Д.
Притчард, Р. Л.
Боуер, Ф. Г.
Крет, Д. Б.
Мартюшов, К. И.
Мартюшов, К. И.
Найти похожие

Мазель, Е. З.
Планарная технология кремниевых приборов [Текст] : научное издание / Е. З. Мазель, Ф. П. Пресс. - М. : Энергия, 1974. - 384 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 368-382. - 1.27 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ДИОДЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ПЛАНАРНЫЕ ПРИБОРЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- ЭПИТАКСИЯ
Аннотация: Рассматриваются процессы, лежащие в основе планарной технологии изготовления кремниевых приборов - диодов, транзисторов и интегральных схем. Подробно излагаются вопросы, связанные с важнейшими операциями планарного технологического процесса: подготовкой кремниевых пластин, созданием маскирующих и пассивирующих слоев на их поверхности, диффузией, фотолитографией и эпитаксией.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Пресс, Ф. П.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)