| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ПРОВОДИМОСТЬ СЛОЕВ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

   
    Легирование полупроводников ионным внедрением [Текст] : сб. статей / пер. под ред. В. С. Вавилова, В. М. Гусева. - М. : Мир, 1971. - 531 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.90 р.
ГРНТИ
45.09
УДК
621.315

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
КАНАЛИРОВАНИЕ -- БЛОКИРОВАНИЕ -- ПРИРОДА ДЕФЕКТОВ -- ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА -- ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ -- ПРОВОДИМОСТЬ СЛОЕВ -- ДИОДНЫЕ СТРУКТУРЫ -- БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Аннотация: Настоящая книга представляет собой сборник специально подобранных статей и докладов, освещающих эту новую перспективную область физики и техники полупроводников. В книге рассмотрены вопросы распределения легирующих примесей по глубине полупроводника, радиационные нарушения и электрические свойства легированных полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Вавилов, В. С.
Гусев, В. М.
Найти похожие
2.

   
    Полевые транзисторы. Физика, технология и применения [Текст] = Field-effect transistors. Physics, Technology and Applicatications : научное издание / пер. с англ. под ред. С. А. Майорова. - М. : Советское радио, 1971. - 374 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 369-371. - 1.74 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
47.33
УДК
621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОВЕРХНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПРОВОДИМОСТЬ СЛОЕВ -- СВОЙСТВА ТОНКИХ СЛОЕВ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЛИНЕЙНЫЕ СХЕМЫ -- ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ
Аннотация: В книге рассматриваются важные вопросы теории, конструирования и применения полевых транзисторов, в том числе физика поверхности полупроводников, физика диэлектриков, структура и рост пленок двуокиси кремния, тонкопленочный транзистор и его применение в интегральных схемах, использование полевого транзистора в усилительных и цифровых схемах. Особое внимание уделяется конструированию интегральных схем, в которых применение полевых транзисторов кажется наиболее перспективным.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Майоров, С. А.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)