| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
в найденном
В текущей базе данных найдено документов :26
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 26
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-26 
1.

    Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники [Текст] : [в 2 ч.]. - Москва : БИНОМ. Лаб. знаний, 2010. - ISBN 978-5-94774-913-7.
   Ч. 1 / А. А. Раскин, В. К. Прокофьева. - Москва : БИНОМ. Лаб. знаний, 2010. - 163, [5] с. : рис. - Библиогр.: с. 164 (13 назв.). - ISBN 978-5-94774-909-0 (Ч. 1) (в пер.) : 150.90 р.
Рекомендовано Учеб.-метод. об-нием вузов РФ по образованию в обл. радиотехники, электроники, биомед. техники и автоматизации в качестве учеб. пособия для студентов вузов, обучающихся по направлению подгот. 210100 "Электроника и микроэлектроника"
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

   техника--материаловедение


Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- оптоэлектроника -- наноэлектроника -- материаловедение -- технологические процессы (ТП) -- полупроводники -- полупроводниковые соединения
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского


Доп. точки доступа:
Прокофьева, Виолетта Константиновна
Найти похожие

2.

    Баранский, П. И.
    Полупроводниковая электроника. Свойства материалов [Текст] : справочник / П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. - Киев : Наукова думка, 1975. - 703 с. : ил. ; 20см. - 2.83 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- полупроводниковые соединения -- свойства полупроводниковых материалов -- электроника -- полупроводниковая технология
Аннотация: Описаны основные физические свойства и параметры элементарных полупроводников, полупроводниковых соединений. Систематизированы и рассмотрены структура энергетических зон, электрические, оптические, магнитные, гальвано- и термомагнитные свойства. Для физиков, химиков, инженеров, преподавателей, студентов и аспирантов университетов и физико-технических вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Клочков, В. П.
Потыкевич, И. В.
Найти похожие

3.

    Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники [Текст] : в 10 кн. : учебник / И. Я. Козырь [и др.]. - М. : Высшая школа, 1989 - .
   Кн. 1 : Общая технология. - 1989. - 223 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5-06-000303-5 : 0.30 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковая схемотехника -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые запоминающие устройства -- полупроводниковые изделия -- полупроводниковые интегральные схемы -- полупроводниковые конденсаторы -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые материалы -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые резисторы -- полупроводниковые соединения -- полупроводниковые стабилитроны
Аннотация: В книге рассмотрены основные направления развития микроэлектроники, описаны технологические процессы производства полупроводниковых приборов и ИМС, особенности изготовления индикаторных устройств. Особое внимание уделено автоматизации и роботизации технологических процессов, качеству и надежности изделий микроэлектроники, электронно-вакуумной гигиене, организации производства.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Козырь, И. Я.
Горбунов, Ю. И.
Чернозубов, Ю. С.
Пономарев, А. С.
Найти похожие

4.

    Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники [Текст] : в 10 кн. : учебник / В. Е. Минайчев. - М. : Высшая школа, 1989 - .
   Кн. 6 : Нанесение пленок в вакууме. - 1989. - 110 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5060003086 : 0.15 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

   Обработка материалов--Нанесение покрытий


Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковая схемотехника -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые запоминающие устройства -- полупроводниковые изделия -- полупроводниковые интегральные схемы -- полупроводниковые конденсаторы -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые материалы -- полупроводниковые приборы -- полупроводниковые соединения -- полупроводниковые стабилитроны
Аннотация: В книге рассмотрены особенности применения и методы нанесения тонких пленок при производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Описаны принципы действия современных технологических вакуумных установок с термическими испарительными и ионными распылительными системами. Приведены сведения по их эксплуатации, вакуумной технике, электронно-вакуумной гигиене и технике безопасности.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Минайчев, В. Е.
Найти похожие

5.

    Горбачев, В. В.
    Полупроводниковые соединения [Текст] / В. В. Горбачев. - М. : Металлургия, 1980. - 132 с. : ил. ; 22см. - Библиогр.: (243 назв.). - 1.50 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
физика -- электричество -- полупроводники -- полупроводниковые соединения -- халькогениды -- медь -- серебро -- теплоперенос -- электроперенос -- зонная структура -- электрофизические свойства -- тепловые свойства -- оптические свойства
Аннотация: Обобщены результаты исследования халькогенидов меди и серебра. Основное внимание уделено физическим свойствам этих соединений(электрическим, тепловым, оптическим, термоэлектрическим), расчетам зонной структуры, анализу механизмов рассеяния носителей заряда, тепло-и электропереноса и практическому использованию халькогенидов меди и серебра.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

6.

    Саморуков, Б. Е.
    Нестехиометрия полупроводниковых соединений [Текст] : учеб. пособие / Б. Е. Саморуков. - Л. : ЛПИ, 1984. - 82 с. : ил. ; 20см. - 0.20 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- нестехиометрия -- полупроводниковые соединения
Аннотация: Излагается важная часть курса "Физические и химические свойства полупроводников", посвященная нестехиометрии реальных полупроводниковых соединений. Рассмотрены вопросы нестехиометрии соединений, проблемы легирования их одной или двумя примесями, а также амфотерной примесью. Для студентов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

7.

    Войцеховский, А. В.
    Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников [Текст] / А. В. Войцеховский. - Томск : Радио и связь, 1990. - 328 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-256-00498-0 : 3.50 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.854.2

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводники -- МДП-структуры -- полупроводниковые соединения -- электрическое поле -- магнитное поле -- оптическое излучение -- электронное облучение -- фотоприемные устройства
Аннотация: Рассмотрены физические основы работы МДП-структур из узкозонных полупроводниковых соединений,используемых в качестве фоточувствительных элементов приемников ИК-диапазона спектра. Значительное внимание уделено электрофизическим,фотоэлектрическим, шумовым и рекомбинационным характеристикам МДП-структур. Проанализировано влияние ионизирующей реакции,оптического излучения,термического и полевого воздействий на основные параметры полупроводниковых структур.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

8.

    Горушкина, Л. П.
    Новые материалы в технике (лабораторные работы) [Текст] : учеб. пособие / Л. П. Горушкина, П. Д. Дудко [и др.] ; общ. ред. Г. Я. Андреева. - Харьков : Харьк. гос. ун-т, 1965. - 164 с. ; 21 см. - 0.37 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Материаловедение

Кл.слова (ненормированные):
СПЛАВЫ ТИТАНА -- МИКРОСТРУКТУРА СПЛАВОВ -- АНТИФРИКЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ФРИКЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- СИНТЕТИЧЕСКИЕ ПОЛИМЕРЫ -- МАГНИТОМЯГКИЕ СПЛАВЫ
Аннотация: В учебном пособие помещены лабораторные работы, рекомендуемые при изучении курса "Новые материалы в технике". Приведенные в книге работы содержат краткие сведения теоретического характера, описание необходимого оборудования и приборов, а также порядок проведения и оформления лабораторных работ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Дудко, П. Д.
Куланова, Г. Н.
Шатько, И. И.
Андреев, Г. Я.
Андреева, Г. Я.
Найти похожие

9.

    Электроника [Текст] : сб. науч. тр. / Всесоюз. ин-т науч. и техн. информ. (Москва); гл. ред. А. И. Михайлов. - М. : ВИНИТИ, 1966 - . - (Итоги науки и техники).
   Т. 18 / науч. ред. Н. А. Соболева. - 1986. - 255 с. : ил., табл. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - Б. ц.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Радиоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ -- ОПТОЭЛЕКТРОНИКА -- МОНОКРИСТАЛЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Рассмотрены вопросы разработки полузаказных и заказных больших и сверхбольших интегральных микросхем, интегральной оптоэлектроники, вакуумно-технические проблемы изготовления сверхбольших интегральных микросхем, тройного полупроводникового соединения ртуть - кадмий - теллур. Разработаны методы выращивания монокристаллов и пленок материалов твердотельной электроники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Соболева, Н. А.
Михайлов, А. И. \\гл. ред.\\
Найти похожие

10.

   
    Технология получения и электрические свойства соединений А{\up 3} В{\up 2} [материалы Всесоюз. конф.] / Ленинградский политехн. ин-т ; отв. ред. Ю. И. Уханов. - Л. : ЛПИ, 1981. - 195 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.80 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА -- ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ -- ФОСФИДЫ ГАЛЛИЯ -- ПРИМЕСИ ЖЕЛЕЗА -- ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ ИСТОЧНИКИ -- ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- МАТЕРИАЛЫ КОНФЕРЕНЦИЙ
Аннотация: Публикуются результаты исследований физических свойств полупроводниковых соединений. Рассмотрены вопросы, касающиеся технологии и применения соединений, явления переноса в них, а именно проводимость в неупорядоченных системах и горячие электроны. Даны обзоры по основным направлениям исследования, получения и применения соединений в полупроводниках.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Уханов, Ю. И.
Найти похожие

11.

    Горюнова, Н. А.
    Сложные алмазоподобные полупроводники [Текст] : научное издание / Н. А. Горюнова. - М. : Советское радио, 1968. - 268 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 249-265. - 1.07 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФАЗЫ -- ДЕФЕКТНЫЕ ФАЗЫ -- ИЗБЫТОЧНЫЕ ФАЗЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- ПОЛНОВАЛЕНТНЫЕ ФАЗЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

12.

   
    Металлургия и технология полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие / под ред. Б. А. Сахарова. - М. : Металлургия, 1972. - 544 с. : ил., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 541. - 1.21 р.
Гриф: допущено М-вом высшего и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по спец. "Технология специальных материалов электронной техники"
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ -- ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- ТЕНЗОМЕТРЫ -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ОБРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ТЕХНОЛОГИЯ ГЕРМАНИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ КРЕМНИЯ
Аннотация: Рассматриваются свойства полупроводниковых материалов, а также физико-химические особенности процессов в высокочистом, прецизионно легированном и монокристаллическом виде. Систематизированно описана технология германия, кремния и основных полупроводниковых соединений. Рассмотрены также специальные виды обработки и вопросы контроля качества полупроводниковых материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Сахаров, Б. А.
Найти похожие

13.

   
    Полупроводниковые фотоприемники и преобразователи излучения (фотоэлементы, фотодиоды, фототриоды) [Текст] : сб. статей / пер. под ред.: А. И. Фримера, И. И. Таубкина. - М. : Изд-во "Мир", 1965. - 576 с. : ил., граф., табл., черт. ; 22 см. - Библиогр. в конце ст. - 2.37 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ФОТОЭЛЕМЕНТЫ -- ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ЭНЕРГИИ -- ФОТОДИОДЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Фример, А. И.
Таубкин, И. И.
Найти похожие

14.

   
    Новые полупроводниковые материалы [Текст] : физические свойства и применения полупроводниковых соединений типа АIII BV : сборник статей / под ред. Б. Т. Коломийца ; пер. с англ. Г. А. Курова. - М. : Изд-во иностранной литературы, 1958. - 229 с. : граф., ил., табл. ; 23 см. - Библиогр. в конце ст. - Библиогр.: с. 224-228. - 10.75 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
СОЕДИНЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФОТОПРОВОДИМОСТЬ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
Аннотация: Сборник содержит статьи, посвященные полупроводниковым соединениям в основном типа АIII ВV. В нем рассматриваются физические свойства, структура и возможные применения таких соединений, которые по целому ряду свойств отличаются от используемых в настоящее время полупроводниковых материалов. статьи сборника содержат многочисленные экспериментальные данные, полученные при исследовании этих соединений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Коломийц, Б. Т.
Куров, Г. А.
Найти похожие

15.

   
    Новые полупроводниковые материалы [Текст] : физико-химические и технологические вопросы получения полупроводниковых соединений группы А3 В5 ; сб. науч. трудов / под ред. А. Я. Нашельского. - М. : Металлургиздат, 1964. - 272 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.77 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПРИМЕСИ ЗАГРЯЗНЕНИЯ -- ИСТОЧНИКИ ЗАГРЯЗНЕНИЯ -- РОСТ КРИСТАЛЛОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Сборник содержит переводы статей о физико-химических исследованиях, поведении примесей и источниках загрязнения, о росте кристаллов, аппаратуре и технологии прямых и косвенных методов получения основных полупроводниковых соединений группы А3 В5.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Нашельский, А. Я.
Найти похожие

16.

    Болтакс, Б. И.
    Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках [Текст] : научное издание / Б. И. Болтакс ; Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе (Ленинград). - Л. : Изд-во "Наука", 1972. - 384 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.99 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ДИФФУЗИИ -- ДЕФЕКТЫ -- ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ -- ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Обобщен и систематизирован имеющийся в настоящее время экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.



Найти похожие

17.

   
    Излучательная рекомбинация в полупроводниках [Текст] : сб. статей / под ред. Я. Е. Покровского. - М. : Наука, 1972. - 304 с. : ил., табл. ; 20 см. - (Современные проблемы физики). - Библиогр. в конце ст. - 1.43 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

   Физика--Оптика


Кл.слова (ненормированные):
ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ -- МОНОАТОМНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МЕЖПРИМЕСНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ -- ВОЗБУЖДЕНИЕ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ -- ИЗЛУЧЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Аннотация: В книге рассмотрено применение принципа детального равновесия для определения спектров и вероятности излучательной рекомбинации по спектрам фундаментального поглощения. Описаны различные методы возбуждения люминесценции.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Покровский, Я. Е.
Найти похожие

18.

   
    Аналитическая химия полупроводников [Текст] : монография / Акад. наук Молд. ССР (Кишинев). - Кишинев : Изд-во "Штиинца", 1975. - 217 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 210-215 (153 назв.). - 1.61 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
АНАЛИТИЧЕСКАЯ ХИМИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- АНАЛИТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Показывается роль и возрастающее значение аналитических методов в современном материаловедении полупроводников и электронном приборостроении. Кратко излагаются некоторые вопросы физики полупроводников и аналитической химии. Значительное место уделяется методам контроля чистоты элементарных и сложных полупроводников. Рассматриваются проблемы фазового анализа многокомпонентных сплавов, искусственных анизотропных сред и гетеросистем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.



Найти похожие

19.

    Бергер, Л. И.
    Тройные алмазоподобные полупроводники [Текст] : монография / Л. И. Бергер, В. Д. Прочухан. - М. : Изд-во "Металлургия", 1968. - 151 с. : рис., табл. ; 22 см. - Библиогр.: с. 145-151 (245 назв.). - 1.02 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ТРОЙНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ
Аннотация: Монография посвящена описанию физических и физико-химических свойств малоизученного класса веществ - тройных алмазоподобных полупроводниковых соединений. Рассмотрены общие принципы образования тетраэдрической координации в применении к тройным соединениям. Представлен анализ и классификация методов синтеза, очистки и выращивания монокристаллов таких полупроводниковых веществ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Прочухан, В. Д.
Найти похожие

20.

   
    Физико-химические свойства полупроводниковых веществ [Текст] : справочник / Ин-т общ. и неорган. химии им. Н. С. Курнакова (Москва) ; отв. ред. А. В. Новоселова, В. Б. Лазарев. - М. : Наука, 1979. - 339 с. : табл. ; 27 см. - Библиогр. в конце разд. - 4.70 р.
Доп.: с. 269-335
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ВЕЩЕСТВА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МАГНИТНЫЕ СВОЙСТВА -- СТЕКЛООБРАЗУЮЩИЕ СОЕДИНЕНИЯ -- КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ -- ПОЛИМОРФНЫЕ СОСТОЯНИЯ -- СТЕХИОМЕТРИЯ -- ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
Аннотация: В справочнике систематизированы основные свойства неорганических кристаллических, а также некоторых стеклообразных веществ элементарных, двойных, тройных и более сложных соединений, обладающих полупроводниковыми свойствами. Основной справочный материал дополнен сведениями о зонной структуре и магнитных свойствах веществ, данными по кристаллографии политипов и полиморфных состояний, по отклонению состава веществ от стехиометрии, термодинамическими параметрами фазовых переходов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Новоселова, А. В.
Лазарев, В. Б.
Найти похожие

 1-20    21-26 
 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)