Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=окисление кремния<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Румак, Н. В.
Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. М. Колешко ; Физико-технич. ин-т (Минск) . - Минск : Наука и техника, 1986. - 240 с. : ил. ; 21см. - Библиогр.: с. 219. - 1.80 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.002

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--МОП-структуры

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- МДП-структуры -- полупроводниковые приборы -- пороговое напряжение -- окисные пленки -- многослойные структуры -- окисление кремния -- кремниевые пластины -- экзоэлектронная эмиссия -- пленки
Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Колешко, В. М.
Найти похожие

Мьюрарка, Ш.
Силициды для СБИС [Текст] / Ш. Мьюрарка; пер. с англ. В. В. Баранова; под ред. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986. - 176 с. : ил. ; 21см. - 1.80 р.
Пред.указ.с.:171

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.049.77+661.685

ББК 22.379

Рубрики: Электроника--Интегральные схемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
алюминиды -- бориды -- вжигание паст -- диэлектрическая прочность окисла -- карбиды -- мелкозалегающие контакты -- металлизация -- окисление кремния -- окислы -- переход контакта -- сопротивление -- цирконий -- химическая активность -- интегральные схемы -- СБИС
Аннотация: Рассмотрены и обобщены результаты исследований электрических,термодинамических и механических свойств силицидов-соединений кремния с переходными металлами.Описываются методы использования силицидов в технологии сверхбольших интегральных схем,приведены конкретные примеры использования силицидной технологии при создании полупроводниковых электронных приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Баранов, В. В.
Чистяков, Ю. Д.
Найти похожие

Теоретические основы сталеплавильных процессов [Текст] : учеб. пособие / Р. С. Айзатулов [и др.] ; под ред. П. С. Харлашина. - М. : МИСИС, 2004. - 320 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 316-319 (54 назв.). - ISBN 5-87623-111-8 : 70.00 р.
Гриф: рек. УМО по образованию в обл. металлургии в качестве учеб. пособия для студентов вузов, обучающихся по направлению подгот. дипломир. специалистов 651300 - "Металлургия", по спец. 110100 - "Металлургия черных металлов"

ГРНТИ	53.31.01.33
УДК	669.14(075.8)

ББК 34.327

Рубрики: Металлургия--Стали

Кл.слова (ненормированные):
СТАЛЕПЛАВИЛЬНЫЕ ПРОЦЕССЫ -- МЕТАЛЛУРГИЧЕСКИЕ РАСПЛАВЫ -- ОБЕЗУГЛЕРОЖИВАНИЕ МЕТАЛЛА -- ОКИСЛЕНИЕ МАРГАНЦА -- ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ -- ОКИСЛЕНИЕ ФОСФОРА -- ДЕСУЛЬФУРАЦИЯ СТАЛИ -- РАСКИСЛЕНИЕ СТАЛИ -- ВНЕПЕЧНОЕ РАФИНИРОВАНИЕ МЕТАЛЛОВ
Аннотация: Рассмотрены теоретические основы металлургии стали. Изложены теории строения жидких шлаков сталеплавильного производства и расплавов на основе железа. Описаны явления на поверхностях раздела фаз. Приведены последние данные по термодинамике и кинетике важнейших процессов, протекающих в сталеплавильных ваннах, а также даны примеры аналитических расчетов и экспериментальных определений и состояния металлургических систем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Айзатулов, Р. С.
Харлашин, П. С.
Протопопов, Е. В.
Назюта, Л. Ю.
Харлашин, П. С.
Найти похожие

Практикум по химии и технологии полупроводников [Текст] : учеб. пособие / под ред. Я. А. Угая. - М. : Высшая школа, 1978. - 191 с. : ил. ; 21 см. - 0.45 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. хим. спец. высш. учеб. заведений

ГРНТИ	29.19.31.01.33
УДК	537.311.322+621.315.592.001(076)

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ -- ПОСТРОЕНИЕ ДИАГРАММ -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ -- ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
Аннотация: В практикуме описаны лабораторные работы по химии и технологии полупроводников. Пособие предназначено для изучения основных методов физико-химического исследования конденсированных систем (ДТА, тензиметрические методы, построение Р-Т-х-диаграмм, методы микроструктурного анализа и миктотвердости, различных методов синтеза, кристаллизационной очистки и выращивания монокристаллов полупроводниковых соединений, а также знакомит с основными технологическими операциями в производстве полупроводниковых приборов (окисление, диффузия, эпитаксия, травление).
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Угай, Я. А.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)