Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :5

В других БД по вашему запросу найдено:

ЭБС "ЛАНЬ" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=выращивание монокристаллов<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Мильвидский, М. Г.
Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М.Г.Мильвидский. - М. : Наука, 1986. - 144 с. : ил. ; 20см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - 0.50 р.

ГРНТИ	45.09
УДК	621.315.592+621.382

ББК 22.379

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

Электроника--Материалы электронной техники

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводниковые материалы -- совершенные монокристаллы -- дефектообразование -- выращивание монокристаллов -- полупроводники -- кремний -- арсенид галлия -- фосфид индия -- эпитаксиальные структуры -- гомоэпитаксиальные структуры -- поликристаллические полупроводники -- аморфные полупроводники
Аннотация: Анализируются новые тенденции в создании и применении полупроводников.Рассмотрены закономерности дефектообразования, особенности текстуированных полупроводников и т.п.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Маллер, Р.
Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.049.77

ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходош, Л. С.
Найти похожие

Плешивцев, Н. В.
Пучки электронов в промышленности [Текст] : научное издание / Н. В. Плешивцев. - М. : Знание, 1969. - 48 с. : ил., рис., табл. ; 21 см. - (Новое в жизни, науке и технике. Сер. "Промышленность" ; № 10). - Библиогр.: с. 46 (13 назв.). - 0.09 р.

УДК

621.385

Кл.слова (ненормированные):
ОТКРЫТИЕ ЭЛЕКТРОНА -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПУЧКИ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПУШКИ -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВАЯ СВАРКА -- ХИМИЧЕСКИЙ МИКРОАНАЛИЗ -- РАДИАЦИОННАЯ ХИМИЯ
Аннотация: Дается описание электронных пушек, предназначенных для плавления сварки, зонной очистки, испарения и размерной микрообработки различных материалов, а также основных физических процессов, которые происходят при взаимодействии электронов с твердыми телами. Отмечаются технологические особенности и преимущества мощных пучков электронов как нового орудия промышленного производства. Указываются перспективы применения электронных пучков в радиационной химии.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Родес, Р. Г.
Несовершенства и активные центры в полупроводниках [Текст] / Р. Г. Родес ; под ред. С. С. Горелика ; пер. с англ.: М. А. Бетуганова, А. А. Галаева, Ю. М. Литвинова = Imperfections and active centres in semiconductors / R. G. Rhodes : переводное издание. - М. : Изд-во "Металлургия", 1968. - 371 с. : ил., граф., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 353-367 (564 назв.). - 1.52 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.

УДК

621.315.59

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ПЛАСТИЧЕСКИЕ ДЕФОРМАЦИИ -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СИСТЕМЫ -- ТРАВЛЕНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Горелик, С. С.
Бетуганов, М. А.
Галаев, А. А.
Литвинов, Ю. М.
Найти похожие

Металлургия и технология полупроводниковых материалов [Текст] : учеб. пособие / под ред. Б. А. Сахарова. - М. : Металлургия, 1972. - 544 с. : ил., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 541. - 1.21 р.
Гриф: допущено М-вом высшего и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по спец. "Технология специальных материалов электронной техники"

ГРНТИ	45.09.01.33
УДК	621.315(075)

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ -- ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ -- ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ -- ТЕНЗОМЕТРЫ -- ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ВСПОМОГАТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- ОБРАБОТКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ТЕХНОЛОГИЯ ГЕРМАНИЯ -- ТЕХНОЛОГИЯ КРЕМНИЯ
Аннотация: Рассматриваются свойства полупроводниковых материалов, а также физико-химические особенности процессов в высокочистом, прецизионно легированном и монокристаллическом виде. Систематизированно описана технология германия, кремния и основных полупроводниковых соединений. Рассмотрены также специальные виды обработки и вопросы контроля качества полупроводниковых материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Сахаров, Б. А.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)