| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :12
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=фотоэлектрические свойства<.>)
Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12
1.

    Шишкин, Михаил Игоревич.
    Фотоэлектрические и оптические свойства полупроводников, обнаруживающих влияние света на выход вторичных ионов [Рукопись] : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 : защищена 18.11.2016 / М. И. Шишкин ; науч. рук. А. Г. Роках ; Федер. гос. бюджет. образоват. учреждение высш. образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского". - Саратов : [б. и.], 2016. - 120 л. : граф., ил., табл. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 113-120 (94 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Фотоэлектрические и оптические свойства полупроводников, обнаруживающих влияние света на выход вторичных ионов : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / М. И. Шишкин ; науч. рук. А. Г. Роках. - Саратов : [б. и.], 2016. - 21, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр [621.382:535](043/Ш 655
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

   физика--оптика


Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- вторично-ионный фотоэффект -- фотопроводимость -- фотолюминесценция -- монокристаллы -- фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- фотопроводящие пленки -- рекомбинация -- перенос носителей заряда -- спектры отражения. - Приложение:Фотоэлектрические и оптические свойства полупроводников, обнаруживающих влияние света на выход вторичных ионов : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / М. И. Шишкин ; науч. рук. А. Г. Роках
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского


Доп. точки доступа:
Роках, Александр Григорьевич
Найти похожие

2.

    Шишкин, Михаил Игоревич.
    Фотоэлектрические и оптические свойства полупроводников, обнаруживающих влияние света на выход вторичных ионов [Текст] : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 / М. И. Шишкин ; науч. рук. А. Г. Роках ; Федер. гос. бюджет. образоват. учреждение высш. образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского". - Саратов : [б. и.], 2016. - 21, [1] с. : ил. - Библиогр.: с. 19-21 (17 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Фотоэлектрические и оптические свойства полупроводников, обнаруживающих влияние света на выход вторичных ионов : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 : защищена 18.11.2016 / М. И. Шишкин ; науч. рук. А. Г. Роках. - Саратов : [б. и.], 2016. - 120. - ISBN [Б. и.]. Шифр [621.382:535](043/Ш 655
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

   физика--оптика


Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- вторично-ионный фотоэффект -- фотопроводимость -- фотолюминесценция -- монокристаллы -- фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- фотопроводящие пленки -- рекомбинация -- перенос носителей заряда -- спектры отражения. - Является приложением к Фотоэлектрические и оптические свойства полупроводников, обнаруживающих влияние света на выход вторичных ионов : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 05.27.01 : защищена 18.11.2016 / М. И. Шишкин ; науч. рук. А. Г. Роках\par
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского


Доп. точки доступа:
Роках, Александр Григорьевич
Найти похожие

3.

   
    Физика полупроводников и диэлектриков [Текст] : межвуз. сб. / отв. ред. В. П. Мушинский. - Кишинев : Штиинца, 1982. - 130 с. ; 21см. - 1.30 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

   Физика--Диэлектрики


Кл.слова (ненормированные):
физика -- полупроводники -- диэлектрики -- свет -- фотоэлектрические явления -- полупроводниковые кристаллы -- эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные структуры -- оптические поглощения -- электрические явления -- фотоэлектрические свойства -- магнитное поле
Аннотация: Освещены результаты теоретических и экспериментальных работ по исследованию взаимодействия света с полупроводниками и диэлектриками. Много внимания уделено исследованию фотоэлектрических явлений в полупроводниковых кристаллах, слоях и эпитаксиальных структурах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Мушинский, В. П.
Найти похожие

4.

   
    Микроэлектроника и промышленная электроника [Текст] : межвуз. темат. сб. трудов / Ереванский политехн. ин-т ; отв. ред. К. Г. Абрамян. - Ереван : Ереванский политехн.ин-т, 1987. - 96 с. : ил. ; 22см. - 0.62 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- промышленная электроника -- анизотропия поликристаллов -- сегнетокерамика -- фотоэлектрические свойства -- фотоприемники -- реактивное термоионное осаждение -- логические модули -- магнитоупругий преобразователь усилий
Аннотация: Рассматриваются актуальные вопросы современной микроэлектроники и промышленной электроники.В первой группе статей рассмотрены физико- технологические вопросы получения и исследования материалов и приборов электронной техники и схемотехнические принципы реализации полупроводниковых приборов и интегральных схем.Во второй группе статей рассматриваются вопросы разработки, проектирования и применения электронных устройств систем управления и вычислительной техники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Абрамян, К. Г.
Найти похожие

5.

    Лукирский, П. И.
    О фотоэффекте [Текст] : монография / П. И. Лукирский . - Л. ; М. : Гос. техн.-теорет. изд-во , 1933. - 94 с. : ил. ; 20 см. - (Проблемы новейшей физики ; вып. 2). - Библиогр.: с. 95. - 15.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 22.33

Рубрики: Физика--Оптика

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОН -- ФОТОЭЛЕКТРОНЫ -- ПОЛЯРИЗАЦИЯ СВЕТА -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- длина волны
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

6.

    Гаркуша, Ж. М.
    Основы физики полупроводников [Текст] : учебник / Ж. М. Гаркуша. - М. : Высшая школа, 1982. - 245 с. : ил. ; 22 см. - 0.65 р.
Гриф: допущено Мин-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. для учащ. техникумов по спец. "Произв. полупровод. приборов"
ГРНТИ
УДК
ББК 22.379

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
физика -- физика полупроводников -- электрофизические свойства соединений -- фотоэлектрические свойства -- твердое тело
Аннотация: Дано описание основных закономерностей строения твердого тела на основе современных квантовомеханических представлений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

7.

   
    Солнечная энергетика [Текст] : научное издание / пер с англ. и франц., под ред.: Ю. Н. Малевского, М. М. Колтуна. - М. : Мир, 1979. - 390 с. ; 22 см. - 3.40 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Двигатели--Гелиоустановки

Кл.слова (ненормированные):
СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГИЯ -- СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕКТРОСТАНЦИИ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- КРЕМНИЕВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Аннотация: Рассматриваются солнечные электростанции различных мощностей.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Малевский, Ю. Н.
Колтун, М. М.
Найти похожие

8.

    Прокопало, О. И.
    Электрофизические свойства оксидов семейства перовскита [Текст] : моногр. / О. И. Прокопало, И. П. Раевский ; отв. ред. М. С. Новиков. - Ростов н/Д : Изд-во Рост. ун-та, 1985. - 104 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 95-103. - 1.00 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Электричество

Кл.слова (ненормированные):
ОКСИДЫ СЕМЕЙСТВА ПЕРОВСКИТА -- СВОЙСТВА ПЕРОВСКИТА -- ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА -- ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ
Аннотация: В монографии описаны оксиды семейства перовскита (ОСП), ряд которых имеет уникальные свойства (сегнето- и -антисегнетоэлектрические, полупроводниковые, диэлектрические и др.), что обусловливает широкое их использование в качестве основы для получения пьезоэлектрических, полупроводниковых, диэлектрических и других активных материалов электронной техники. В работе впервые обобщены данные исследования большого числа электрофизических процессов в оксидах семейства. Особое внимание уделено выяснению механизмов электропроводности и медленных поляризаций, а также установленной авторами корреляции между зонной структурой, собственной дефектностью и электрическими свойствами ОСП.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Раевский, И. П.
Новиков, М. С.
Найти похожие

9.

   
    Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем [Текст] : материалы III Всесоюз. научно-техн. семинара, Рязань 14-16 июня 1984 г. / Рязанский радиотехн. ин-т ; отв. ред. П. Т. Орешкин. - Рязань : РРТИ, 1985. - 175 с. : ил. ; 19 см. - Библиогр. в конце ст. - 0.80 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
РЕЛАКСАЦИЯ ЗАРЯДА -- СПЕКТРОСКОПИЯ -- НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ -- НАДЕЖНОСТЬ ДИОДОВ -- ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ -- АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Аннотация: В сборнике рассмотрены пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем, явление резонансной релаксации заряда в физических барьерных слоях, установки резонансной спектроскопии глубоких центров, диоды Шоттки, фотоэлектрические свойства биполярного транзистора и др. вопросы.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Орешкин, П. Т.
Найти похожие

10.

   
    Материалы, используемые в полупроводниковых приборах [Текст] / под ред. К. Хогарта, пер. с англ. под ред. В. П. Жузе = Materials used in semiconductor devices / edited by C. Hogarth : монография. - М. : Мир, 1968. - 349 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 341-348. - 1.63 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

   Электроника--Электронные приборы


Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ГЕРМАНИЙ -- СУЛЬФИД СВИНЦА -- КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- КРЕМНИЙ -- СЕЛЕН -- СЕЛЕНИД СВИНЦА -- ТЕЛЛУРИД СВИНЦА -- АНТИМОНИД ИНДИЯ -- ТЕЛЛУРИД ВИСМУТА -- АНТИМОНИД КАДМИЯ -- АНТИМОНИД ЦИНКА
Аннотация: Книга содержит подробные сведения об основных типах полупроводниковых материалов - уже давно используемых в технике и новых, получающих все более широкое применение и активно изучаемых.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Хогарт, К. Hogarth C.
Жузе, В. П.
Найти похожие

11.

    Хилсум, К.
    Полупроводники типа А3 В5 [Текст] / К. Хилсум, А. Роуз-Инс ; пер. с англ. М. М. Горшкова, А. Э. Наджипа ; под ред. Н. П. Сажина, Г. В. Захваткина = Semiconducting 3 - 5 compounds / C. Hilsum, A. C. Hose-Innes : научное издание. - М. : Изд-во иностр. лит., 1963. - 323 с. : ил., табл. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.24 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ
Аннотация: Книга посвящена описанию физических и химических свойств, методов получения и вопросам применения кристаллов полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Роуз-Инс, А. Hose-Innes A. C.
Горшков, М. М.
Наджип, А. Э.
Сажин, Н. П.
Захваткин, Г. В.
Найти похожие

12.

    Льоцци, Марио.
    История физики [Текст] : научное издание / М. Льоцци ; пер. с ит. Э. Л. Бурштейна. - Москва : Мир, 1970. - 463 с. : ил., граф., портр. - Библиогр.: с. 450-452. - Имен. указ.: с. 453-460. - 03.06 р.
ББК 22.3г

Рубрики: Физика--История физики

Кл.слова (ненормированные):
Возрождение -- античность -- аэростаты -- магнетизм -- механика -- оптика -- радиоактивность -- средние века -- теория относительности -- термодинамика -- фотоэлектрические свойства -- фотоэффект -- электричество -- электроны -- эллинистическая философия
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Бурштейн, Э. Л.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)