Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=термическое окисление<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Маллер, Р.
Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.049.77

ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходош, Л. С.
Найти похожие

Технология СБИС [Текст] : в 2 кн. / под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986.Кн. 1. - 1986. - 404 с. : ил. ; 23см. - Библиогр.: с. 400-402. - 3.00 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.049.77.002

ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- СБИС -- кремниевые ИС -- монокристаллы кремния -- эпитаксиальные слои -- осаждение пленок -- термическое окисление -- окисление -- диффузия -- ионная имплантация -- геттерирование -- литография
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зи, С. \\ред.\\
Чистяков, Ю. Д. \\пер.\\
Найти похожие

Абрамова, Н. А.
Тонкослойная электрическая изоляция [Текст] : учеб. пособие / Н. А. Абрамова, С. Н. Койков ; Ленинградский политехн. ин-т им. М. И. Калинина. - Л. : ЛПИ, 1987. - 71 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 69. - 0.20 р.

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382.049.77.048(075.8)

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- литография -- диффузия -- диффузия примесей -- термическое испарение -- термическое окисление -- ионно-плазменное напыление -- электрическая изоляция
Аннотация: Излагаются физические принципы основных технологических процессов, используемых для получения тонких диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев и слоистых систем: термическое окисление, катодное и ионно-плазменное испарение, диффузия и ионная имплантация примесей, литография и др.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Койков, С. Н.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)